[發明專利]一種用于太陽能光伏組件的低溫焊接焊帶在審
| 申請號: | 201310079959.4 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN103199137A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 袁奇英 | 申請(專利權)人: | 袁奇英 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 上??剖⒅R產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 蔣亮珠 |
| 地址: | 401520 重慶市合*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽能 組件 低溫 焊接 | ||
技術領域
本發明涉及一種焊帶,尤其是涉及一種用于太陽能光伏組件的低溫焊接焊帶。?
背景技術
作為解決嚴重化的地球溫暖化、化石能源枯竭問題的方法,太陽能作為清潔可再生能源受到關注?,F在,主流的太陽能電池具有如下結構:具有單晶或多晶的Si晶片的太陽能電池單元通過電極和金屬配線構件而串聯或并聯地連接。?
通常,太陽能電池單元的電極與金屬配線構件的連接一直使用顯示出良好的導電性且便宜的焊錫來進行(專利文獻1)。在連接時,需要加熱至焊錫的熔融溫度以上而將太陽能電池單元的電極與配線構件連接的,但一般的焊錫融點為230-260℃以上,而實際焊接溫度更是遠高于焊錫熔點,因此發生太陽能電池單元的翹曲、破裂,從而成品率降低。近年,出于低成本化的目的,太陽能電池單元的變薄成了另一課題,因此降低太陽能焊接組件的翹曲和破裂,成為了太陽能電池發展的重點。?
在上述背景下,一些導電膠膜或者導電膠帶成為研究的方向之一(專利文獻2-4),但是這些膠膜/膠帶,因為其應用要很大程度上改變現有組件廠家的設備,而面臨巨大成本問題。其次這些膠膜/膠帶均引入了樹脂作為粘接劑,其粘結可靠性還需要進一步考證。?
專利文獻1:日本特開2002-263880?
專利文獻2:CN102576766A?
專利文獻3:CN101675484B?
專利文獻4:US20090235972A1。?
發明內容
本發明的目的就是為了克服上述現有技術存在的缺陷而提供一種用于太陽能光伏組件的低溫焊接焊帶。?
本發明的目的可以通過以下技術方案來實現:一種用于太陽能光伏組件的低溫焊接焊帶,其特征在于,該焊帶結構包括了高導電率基材,以及在基材至少一面的表面上的低熔點合金層,所述的低熔點合金的熔點為70-230℃。?
所述的高導電率基材包括銅帶/箔,鍍錫銅帶/箔,鍍錫鉛銅帶/箔,鍍鋅銅帶/箔或鍍鎳銅帶/箔。?
所述的高導電率基材優選純銅、鍍錫銅或鍍鋅銅。?
所述的低熔點合金由Sn、Pb、Bi、Cd、In元素中至少兩種所構成。?
所述的低熔點合金具體包括以下合金:?
(1)Bi44.7wt%、Pb22.6wt%、Sn8.3wt%,Cd5.3wt%和In19.1wt%;?
(2)Bi49wt%、Pb18wt%、Sn12wt%和In21wt%;?
(3)Bi50wt%、Pb26.7wt%、Sn13.3wt%和Cd10wt%;?
(4)Bi51.6wt%、Pb40.2wt%和Cd8.2wt%;?
(5)Bi52.5wt%、Pb32wt%、Sn15.5wt%;?
(6)Bi54wt%、Sn26wt%,Cd20wt%;?
(7)Bi55.5wt%、Pb44.5wt%;?
(8)Bi58wt%、Sn42wt%;?
(9)Pb30.6wt%、Sn51.2wt%,Cd18.2wt%;?
(10)Bi60wt%、Cd40wt%;?
(11)Pb67.75wt%、Sn32.25wt%;?
(12)Pb38.14wt%、Sn61.86wt%;?
(13)Sn91wt%,Zn9wt%;?
(14)Sn96.5wt%,Cd3.5wt%;?
(15)Bi50.5wt%、Pb27.8wt%、Sn12.4wt%,Cd9.3wt%;?
(16)Bi50wt%、Pb34.5wt%、Sn9.3wt%,Cd6.2wt%;?
(17)Bi50.72wt%、Pb30.91wt%、Sn14.97wt%,Cd3.4wt%;?
(18)Bi42.5wt%、Pb37.7wt%、Sn11.3wt%,Cd8.5wt%;?
(19)Bi35.1wt%、Pb36.4wt%、Sn19.06wt%,Cd9.44wt%;?
(20)Bi56wt%、Pb22wt%、Sn22wt%;?
(21)Bi67wt%、Pb16wt%、Sn17wt%;?
(22)Bi33.33wt%、Pb33.34wt%、Sn33.33wt%;?
(23)Bi48wt%、Pb28.5wt%、Sn14.5wt%、Sb9%;?
(24)Bi40wt%、Sn60wt%。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





