[發(fā)明專利]一種N型磷化銦單晶生長制備配方有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310079859.1 | 申請日： | 2013-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN104047055B | 公開（公告）日： | 2018-08-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 關活明 | 申請（專利權）人： | 臺山市華興光電科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/40 | 分類號： | C30B29/40 |
| 代理公司： | 廣州科粵專利商標代理有限公司 44001 | 代理人： | 蔣歡妹;莫瑤江 |
| 地址： | 529341 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 磷化 銦單晶 生長 制備 配方 | ||
【權利要求書】：
1.一種N型磷化銦單晶生長制備配方，其特征在于按原料重量百分比組成為：InP多晶料96.50~97.50%，三氧化二硼1.40~2.00%，紅磷1.00~1.50%，硫0.01~0.02%，所述InP多晶料經(jīng)去離子水多次煮沸清洗，以去除表面的氧化物和殘余雜質(zhì)，所述三氧化二硼為高純脫水三氧化二硼，脫水后的三氧化二硼含水量一般在500ppm量級，所述紅磷達到6N純凈度，所述硫達到6N純凈度。
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