[發明專利]應用MQW生長的綠光GaN基LED外延結構無效

申請號：	201310079599.8	申請日：	2013-03-13
公開（公告）號：	CN103178176A	公開（公告）日：	2013-06-26
發明（設計）人：	李盼盼;李鴻漸;李志聰;孫一軍;王國宏	申請（專利權）人：	揚州中科半導體照明有限公司
主分類號：	H01L33/12	分類號：	H01L33/12;H01L33/06
代理公司：	揚州市錦江專利事務所 32106	代理人：	江平
地址：	225009 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	應用 mqw 生長 gan led 外延結構
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【權利要求書】：

1.應用MQW生長的綠光GaN基LED外延結構，包括依次生長在襯底上的GaN成核層、非摻雜GaN層、n型GaN層、InGaN/GaN多量子阱有源層和p型GaN層，所述InGaN/GaN多量子阱有源層包括GaN壘層、InGaN量子阱層和變溫GaN過渡層，其特征在于在InGaN/GaN多量子阱有源層的GaN壘層和InGaN量子阱層之間生長低In組分的緩沖層shallow?well。

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