[發(fā)明專利]集成高壓直流發(fā)電系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310079421.3
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN103227536A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設計）人: G·I·羅斯曼;J·F·吉拉斯;S·J·摩斯
• 申請（專利權）人: 哈米爾頓森德斯特蘭德公司
• 主分類號: H02K11/00
• 分類號: H02K11/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種集成高壓直流(HVDC)發(fā)電系統(tǒng)(EPGS)，包括：

永磁發(fā)電機(PMG)，包括PMG定子和PMG轉子，其中該PMG設置在PMG外殼中；

電樞繞組，可操作地連接到該PMG和用于轉換來自電樞繞組的高壓AC的第一整流器，其中該電樞繞組與第一升壓電感器通信，其中該電樞繞組、該第一整流器和該第一升壓電感器各自設置在該PMG外殼中；以及

其中該電樞繞組可操作地連接到用于轉換來自電樞繞組的高壓AC的第二整流器，其中該電樞繞組與第二升壓電感器通信，其中該電樞繞組、該第二整流器和該第二升壓電感器各自設置在該PMG外殼中。

2.如權利要求1所述的集成HVDC?EPGS，進一步包括連接到該電樞繞組的中性點的公共節(jié)點。

3.如權利要求2所述的集成HVDC?EPGS，其中整流器控制器被配置成測量該公共節(jié)點處的電壓以檢測該PMG轉子的位置。

4.如權利要求1所述的集成HVDC?EPGS，其中該第一升壓電感器和該第二升壓電感器中的至少一個是三相電感器。

5.如權利要求1所述的集成HVDC?EPGS，其中該第一整流器和該第二整流器通過使載波信號彼此相移半個開關周期而形成交織雙向的有源整流器。

6.如權利要求5所述的集成HVDC?EPGS，其中該第一整流器和該第二整流器中的每個包括多個碳化硅(SiC)MOSFET。

7.如權利要求1所述的集成HVDC?EPGS，進一步包括設置在PMG外殼外部的位置處的電力管理和分配(PMAD)系統(tǒng)。

8.如權利要求7所述的集成HVDC?EPGS，進一步包括將由集成HVDCEPGS供電的至少一個負載，其中該PMAD系統(tǒng)選擇性地分配電力給所述至少一個負載。

9.如權利要求7所述的集成HVDC?EPGS，其中PMAD系統(tǒng)可操作地與整流器控制器連接，該整流器控制器設置在該PMG外殼外部的位置處。

10.一種產生高壓直流(HVDC)電力的方法，包括：

電樞繞組，其中該電樞繞組可操作地連接到第一整流器和第二整流器，其中該PMG、該電樞繞組、該第一整流器和該第二整流器設置在PMG外殼中；

延伸該電樞繞組以形成第一升壓電感器，其中該第一升壓電感器設置在該PMG外殼中；

延伸該電樞繞組以形成第二升壓電感器，其中該第二升壓電感器設置在該PMG外殼中；以及

用整流器控制器來控制該第一整流器和該第二整流器。

11.如權利要求10所述的方法，其中該電樞繞組的中性點共享公共節(jié)點。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括測量公共節(jié)點處的電壓以檢測該PMG轉子的位置。

13.如權利要求10所述的方法，其中該第一升壓電感器和該第二升壓電感器中的至少一個是三相電感器。

14.如權利要求10所述的方法，其中該第一整流器和該第二整流器通過使載波信號彼此相移半個開關周期而形成交織雙向的有源整流器。

15.如權利要求14所述的方法，其中該第一整流器和該第二整流器中的每個包括多個碳化硅(SiC)MOSFET。

16.如權利要求10所述的方法，進一步包括用電力管理和分配(PMAD)系統(tǒng)選擇性地分配電力給將由集成HVDC?EPGS供電的至少一個負載。

17.如權利要求16所述的方法，其中該PMAD系統(tǒng)設置在該PMG外殼外部的位置處。

18.如權利要求16所述的方法，其中該PMAD系統(tǒng)可操作地與該整流器控制器連接，該整流器控制器設置在該PMG外殼外部的位置處。