[發明專利]跨導電路和混頻器

在審

• 申請號: 201310079274.X
• 申請日: 2013-03-13
• 公開（公告）號: CN104052418A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 王紅玉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 王君;肖鸝

技術領域

本發明涉及通信技術領域，尤其是涉及一種跨導電路和混頻器。

背景技術

在基站和微波通信系統中，通常采用集成芯片代替板上離散的商用器件，這對實現低成本、高集成度和智能化的通信產品意義重大，而集成芯片對混頻器等電路的性能要求很高。

混頻器電路能夠實現頻率的變換，是收發芯片的射頻前端非常重要的電路模塊，其性能決定著整個收發機的性能，影響著整個解決方案的架構選擇和實現。有源混頻器的增益，線性度和噪聲是混頻器的關鍵指標，這些指標在設計中互相制約，限制了整體性能的提高。

跨導電路是射頻芯片中的核心電路，在混頻器中的作用是將電壓轉換為電流。其位于混頻器的輸入端，是實現高性能有源混頻器電路的關鍵部分?？鐚щ娐肥菍㈦妷盒盘栟D換為電流信號的電路，跨導電路的等效跨導表示該跨導電路將電壓信號轉換為電流信號的能力，即表示該跨導電路的效率。而在轉換過程中引起的信號失真程度用線性度表示，失真越小表明該跨導電路的線性越好，應用時對系統的性能影響越小。

目前，應用最廣泛的跨導電路包括共源跨導電路和共柵跨導電路。共源跨導電路通過電感或電阻退化實現的負反饋作用來提高跨導的線性度，其線性程度與輸入晶體管的小信號跨導和退化電感或電阻的關系相關。而共柵跨導電路的線性程度與輸入晶體管的小信號跨導和輸入阻抗的關系相關。共源跨導電路的等效跨導主要由退化電感決定，共柵跨導電路的等效跨導主要由輸入阻抗決定。這兩種跨導電路的線性度提高需要增大輸入晶體管的小信號跨導，而這需要通過增大功耗實現；或者需要增大退化電感和輸入阻抗，而這樣會導致增益效率降低和噪聲增大，同時還會導致輸入阻抗比較難匹配。

因此，在設計跨導電路時，線性度，增益、噪聲或阻抗匹配相互制約，限制了跨導電路的性能的提高。

發明內容

本發明實施例提供了一種跨導電路和混頻器，能夠提高跨導電路的性能。

第一方面，提供了一種跨導電路，包括：第一晶體管、第二晶體管、第一阻抗、第二阻抗、第一輸入網絡和第二輸入網絡，其中第一晶體管的柵極通過第一輸入網絡連接到該跨導電路的第一輸入端，第一晶體管的漏極連接到該跨導電路的第一輸出端；第二晶體管的柵極通過第二輸入網絡連接到該跨導電路的第二輸入端，第二晶體管的漏極連接到該跨導電路的第二輸出端，所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極通過電感或電阻相連接并且接地；第一晶體管的柵極通過第一輸入網絡和第一阻抗連接到第二晶體管的源極，所述第一輸入網絡和所述第一阻抗串聯連接；第二晶體管的柵極通過第二輸入網絡和第二阻抗連接到第一晶體管的源極，所述第二輸入網絡與所述第二阻抗串聯連接。

在第一種可能的實現方式中，第一輸入網絡包括第一電容和第三電容，第二輸入網絡包括第二電容和第四電容，第一晶體管的柵極通過第一電容連接到該跨導電路的第一輸入端，第一晶體管的漏極連接到該跨導電路的第一輸出端；第二晶體管的柵極通過第二電容連接到該跨導電路的第二輸入端，第二晶體管的漏極連接到該跨導電路的第二輸出端；第一晶體管的柵極通過第一阻抗和第三電容連接到第二晶體管的源極；第二晶體管的柵極通過第二阻抗和第四電容連接到第一晶體管的源極。

結合第一種可能的實現方式，在第二種可能的實現方式中，第一晶體管的柵極通過第一電容連接到該跨導電路的第一輸入端，第一晶體管的源極通過第二阻抗和第四電容連接到該跨導電路的第二輸入端；第二晶體管的柵極通過第二電容連接到該跨導電路的第二輸入端，第二晶體管的源極通過第一阻抗和第三電容連接到該跨導電路的第一輸入端。

結合第一種可能的實現方式，在第三種可能的實現方式中，第一晶體管的源極通過第二阻抗、第四電容和第二電容連接到該跨導電路的第二輸入端；第二晶體管的源極通過第一阻抗、第三電容和第一電容連接到該跨導電路的第一輸入端。

結合第二種可能的實現方式，在第四種可能的實現方式中，第一晶體管的柵極通過第一電容和第三電容連接到該跨導電路的第一輸入端，第一晶體管的源極通過第二阻抗和第二電容連接到該跨導電路的第二輸入端；第二晶體管的柵極通過第二電容和第四電容連接到該跨導電路的第二輸入端，第二晶體管的源極通過第一阻抗和第一電容連接到該跨導電路的第一輸入端。

結合第一方面或上述任何一種可能的實現方式，在第五種可能的實現方式中，第一輸入端和第二輸入端輸入差分射頻信號；或者，第一輸入端和第二輸入端之一連接單端射頻信號，第一輸入端和第二輸入端中的另一個接地。