[發(fā)明專利]一種光刻工藝的顯影方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310079009.1 | 申請日： | 2013-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN103123444A | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姚樹歆 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/30 | 分類號： | G03F7/30;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 光刻 工藝 顯影 方法 | ||
1.一種光刻工藝的顯影方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體晶片；
于所述半導(dǎo)體晶片上涂布光刻膠層；
曝光并烘焙所述的光刻膠層；
向所述的光刻膠層噴灑正性TMAH溶液，以去除被完全曝光的所述光刻膠層，其中，所述正性TMAH溶液布滿整個所述光刻膠層表面；
高溫烘焙所述正性TMAH溶液，以形成第一圖形化光刻膠；
再向所述第一圖形化光刻膠噴灑負(fù)性TMAH溶液，以去除未被曝光的光刻膠層，以及
保留被部分曝光的所述光刻膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述烘焙所述光刻膠層的溫度為21℃~24℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述正性TMAH溶液的質(zhì)量百分比濃度為2%~7%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述正性TMAH溶液的噴灑速率為1ml/s~1000ml/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述正性TMAH溶液的噴灑時間為0.1s~100s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述的高溫烘焙所述正性TMAH?溶液的溫度為50℃~100℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述的高溫烘焙所述正性TMAH溶液的時間為1s~100s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述的光刻膠層為正性光刻膠層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，所述的被部分曝光光刻膠位于被完全曝光光刻膠和未被曝光光刻膠中間；所述的被部分曝光光刻膠既不溶于正性TMAH?溶液又不溶于負(fù)性TMAH?溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻工藝的顯影方法，其特征在于，?所述正性TMAH溶液呈弱堿性；所述負(fù)性TMAH溶液呈弱酸性。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工藝；圖紋面照相制版用的材料，如：含光致抗蝕劑的材料；圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作，例如，鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
