[發明專利]記錄頭線圈結構

有效

• 申請號: 201310078536.0
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103383847A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: E·R·麥洛克;C·瑞;J·薛;E·林維勒;J·M·沃夫
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;G11B5/127
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張東梅

1.一種設備，包括：

線圈裝置，所述線圈裝置相對于主磁極不對稱且被配置成在主磁極的一側生成的磁通量比在主磁極的另一側生成的磁通量更多。

2.如權利要求1所述的設備，還包括附連至返回屏蔽的返回磁極，其中所述線圈裝置被配置成增加返回屏蔽中的磁通密度。

3.如權利要求2所述的設備，其特征在于，所述線圈裝置還包括：

定位在主磁極和返回磁極之間的第一線圈結構；以及

定位在主磁極的與第一線圈結構相反的一側上的第二線圈結構。

4.如權利要求3所述的設備，其特征在于，第一線圈結構中的線圈匝數大于第二線圈結構中的線圈匝數。

5.如權利要求3所述的設備，其特征在于，第一線圈結構被配置成攜帶與第二線圈結構中攜帶的電流相比安培數較高的電流。

6.如權利要求3所述的設備，其特征在于，第一線圈結構包括繞后通孔纏繞的扁平線圈，所述后通孔連接主磁極和返回磁極。

7.如權利要求3所述的設備，其特征在于，第一線圈結構包括至少一個繞返回磁極纏繞的螺旋線圈。

8.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述線圈裝置被配置成增加返回磁極中的磁通密度。

9.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述第一線圈結構包括與第一線圈結構中的另一個線圈平行的至少一個線圈。

10.如權利要求3所述的設備，其特征在于，所述線圈裝置被配置成在返回屏蔽中生成磁通量，以改變接近主磁極的空氣承載表面處的磁化角度。

11.一種用于記錄頭的設備，包括：

定位在寫入磁極和返回磁極之間的第一線圈結構；以及

定位在寫入磁極的與第一線圈結構相反的一側上的第二線圈結構；

其中第一線圈結構中的線圈匝數大于第二線圈結構中的線圈匝數。

12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，第一線圈結構被配置成攜帶與第二線圈結構中攜帶的電流相比安培數較高的電流。

13.如權利要求11所述的設備，其特征在于，第一線圈結構包括繞后通孔纏繞的扁平線圈，所述后通孔連接寫入磁極和返回磁極。

14.如權利要求11所述的設備，其特征在于，第一線圈結構包括至少一個繞返回磁極纏繞的螺旋線圈。

15.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述第一線圈結構被配置成增加連接至返回磁極的后屏蔽中的磁通量。

16.一種設備，包括：

寫入磁極；

返回磁極；以及

線圈結構，配置成在寫入磁極周圍的磁場密度中生成不平衡性。

17.如權利要求16所述的設備，其特征在于，所述線圈結構包括繞后通孔纏繞的扁平線圈，所述后通孔連接寫入磁極和返回磁極。

18.如權利要求16所述的設備，其特征在于，所述線圈結構包括繞返回磁極纏繞的螺旋線圈。

19.如權利要求16所述的設備，其特征在于，所述線圈結構包括作為螺旋線圈的一部分的第一線圈層和作為扁平線圈的一部分的第二線圈層。

20.如權利要求19所述的設備，其特征在于，所述螺旋線圈繞寫入磁極纏繞，并且所述扁平線圈繞后通孔纏繞，所述后通孔將寫入磁極連接至返回磁極。

21.一種設備，包括：

寫入磁極；

用于在寫入磁極周圍的磁場密度中生成不平衡性的裝置。

22.如權利要求21所述的設備，還包括返回磁極，

其中用于生成不平衡性的裝置還包括繞后通孔纏繞的扁平線圈，所述后通孔連接寫入磁極和返回磁極。

23.如權利要求22所述的設備，其特征在于，用于生成不平衡性的裝置還包括繞返回磁極纏繞的螺旋線圈。