[發明專利]一種大功率晶閘管的改性鉬基片及其制備方法有效
| 申請號: | 201310078502.1 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN103194723A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 吳玉萍;高文文;李改葉;郭文敏;王博;洪晟 | 申請(專利權)人: | 河海大學 |
| 主分類號: | C23C14/16 | 分類號: | C23C14/16;C23C14/48 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 李紀昌 |
| 地址: | 210098 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 大功率 晶閘管 改性 鉬基片 及其 制備 方法 | ||
1.一種大功率晶閘管的改性鉬基片,包括平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金屬鉬片,其特征在于用純度大于99.0%的金屬釕離子與金屬鉬片固溶,在金屬鉬片表面形成釕鉬合金滲層。
2.根據權利要求1所述的改性鉬基片,其特征在于釕合金滲層的厚度為0.2~0.5μm。
3.如權利要求1或2所述的大功率晶閘管的改性鉬基片的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
步驟一,表面預處理:采用平面度≤5μm、平行度≤10μm和表面粗糙度Ra≤0.3μm的金屬鉬片,分別用丙酮、無水乙醇進行超聲波各15min清洗后,再進行吹風干燥;
步驟二,釕鉬固溶:將完成步驟一表面預處理的金屬鉬片放入離子注入機的真空室中,然后注入純度大于99.0%的金屬釕離子源,由該金屬釕離子與金屬鉬片固溶,在金屬鉬片表面形成釕鉬合金滲層,該真空室中的真空度≤8×10-3pa,加速電壓為30kv~80kv,金屬釕離子束的入射角度為0°~45°,金屬釕離子源注入劑量為0.5×1017~1×1017ions/cm2,金屬釕離子束流密度為15μA~30μA;
步驟三,退火處理:對完成步驟二釕鉬固溶后的金屬鉬片進行退火處理,而制得大功率晶閘管的改性鉬基片成品,該退火處理采用氬氣為退火保護氣、退火溫度為650℃~700℃、退火時間為15min~30min。
4.根據權利要求3所述的大功率晶閘管的改性鉬基片的制備方法,其特征在于步驟二的釕鉬固溶中,該真空室中的真空度為4×10-3pa、加速電壓為50kv、金屬釕離子束的入射角度為30°、金屬釕離子源注入劑量為0.8×1017ions/cm2和金屬釕離子束流密度為20μA。
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