[發(fā)明專利]制作與雙重圖案化技術(shù)兼容的轉(zhuǎn)折布局繞線的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310078397.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103311102A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁磊;J·桂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/033 | 分類號(hào): | H01L21/033;G03F1/76 |
| 代理公司: | 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽(yáng) |
| 地址: | 英屬開(kāi)曼群*** | 國(guó)省代碼: | 開(kāi)曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制作 雙重 圖案 技術(shù) 兼容 轉(zhuǎn)折 布局 方法 | ||
1.一種方法,包含下列步驟:
建立由包含一奇轉(zhuǎn)折特征的多個(gè)特征構(gòu)成的一整體目標(biāo)圖案,該奇轉(zhuǎn)折特征有連接第一及第二直線部分的一跨接區(qū),該跨接區(qū)在平行于該第一及該第二直線部分中的一直線部分的長(zhǎng)軸的第一方向有第一尺寸,該第一尺寸大于該第一及該第二直線部分各自在橫交于該第一方向的第二方向的第二尺寸;
將該整體目標(biāo)圖案分解成第一子目標(biāo)圖案與第二子目標(biāo)圖案,其中,該第一子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中之一直線部分與該跨接區(qū)的第一部分以及該第二子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中的另一直線部分與該跨接區(qū)的第二部分;
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第一子目標(biāo)圖案的第一組掩膜數(shù)據(jù);以及
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第二子目標(biāo)圖案的第二組掩膜數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括提供該第一及該第二組掩膜數(shù)據(jù)給一掩膜制造商。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該奇轉(zhuǎn)折特征的跨越距離等于該整體目標(biāo)圖案的一間距大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,該跨接區(qū)的該第一部分的第一端與該第一子目標(biāo)圖案的所述特征中的最近者的一邊緣隔開(kāi)一段大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中,該跨接區(qū)的該第二部分的第二端與該第二子目標(biāo)圖案的所述特征中的最近者的一邊緣隔開(kāi)一段大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括測(cè)定該第一尺寸在以下位置的數(shù)值:該第一子目標(biāo)圖案中的特征的最小間隔等于或大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,進(jìn)一步包括測(cè)定該第一及該第二子圖案的所述轉(zhuǎn)折部分的重迭距離在以下位置的數(shù)值:該第一子目標(biāo)圖案中的特征的最小間隔等于或大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力。
8.一種方法,包含下列步驟:
建立由包含一奇轉(zhuǎn)折特征的多個(gè)特征構(gòu)成的一整體目標(biāo)圖案,該奇轉(zhuǎn)折特征有連接第一及第二直線部分的一跨接區(qū),該跨接區(qū)在平行于該第一及該第二直線部分中的一直線部分的長(zhǎng)軸的第一方向有第一尺寸;
將該整體目標(biāo)圖案分解成第一子目標(biāo)圖案與第二子目標(biāo)圖案,其中,該第一子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中的一直線部分與該跨接區(qū)的第一部分以及該第二子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中的另一直線部分與該跨接區(qū)的第二部分;
測(cè)定該第一尺寸在以下位置的數(shù)值:該第一子目標(biāo)圖案中的特征的最小間隔等于或大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力;
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第一子目標(biāo)圖案的第一組掩膜數(shù)據(jù);以及
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第二子目標(biāo)圖案的第二組掩膜數(shù)據(jù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,進(jìn)一步包括測(cè)定該第一及該第二子圖案的所述轉(zhuǎn)折部分的重迭距離在以下位置的數(shù)值:該第一子目標(biāo)圖案中的特征的最小間隔等于或大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力。
10.一種方法,包含下列步驟:
建立由包含一奇轉(zhuǎn)折特征的多個(gè)特征構(gòu)成的一整體目標(biāo)圖案,該奇轉(zhuǎn)折特征有連接第一及第二直線部分的一跨接區(qū),該跨接區(qū)在平行于該第一及該第二直線部分中的一直線部分的長(zhǎng)軸的第一方向有第一尺寸;
將該整體目標(biāo)圖案分解成第一子目標(biāo)圖案與第二子目標(biāo)圖案,其中,該第一子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中的一直線部分與該跨接區(qū)的第一部分以及該第二子目標(biāo)圖案包含該第一及該第二直線部分中的另一直線部分與該跨接區(qū)的第二部分;
測(cè)定該第一及該第二子圖案的所述轉(zhuǎn)折部分的重迭距離在以下位置的數(shù)值:該第一子目標(biāo)圖案中的特征的最小間隔等于或大于單一圖案化技術(shù)的最小解析能力;
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第一子目標(biāo)圖案的第一組掩膜數(shù)據(jù);以及
產(chǎn)生對(duì)應(yīng)至該第二子目標(biāo)圖案的第二組掩膜數(shù)據(jù)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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