[發(fā)明專利]一種超結(jié)LDMOS器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310077827.8 | 申請日： | 2013-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN103165678A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 喬明;蔡林希;章文通;李燕妃;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李順德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ldmos 器件 | ||
1.一種超結(jié)LDMOS器件，包括P型襯底（1）、N型緩沖區(qū)（4）、P型條（5）、N型條（6）、P型體區(qū)（7）、P型重?fù)诫s體接觸區(qū)（8）、N型重?fù)诫s源區(qū)（9）、金屬源電極（10）、多晶硅柵電極（11）、柵氧化層（12）、金屬漏電極（13）、N型重?fù)诫s漏區(qū)（14）；所述P型條（5）和N型條（6）平行于器件橫向方向，形成超結(jié)結(jié)構(gòu)的漂移區(qū)；所述N型緩沖區(qū)（4）位于超結(jié)結(jié)構(gòu)的漂移區(qū)和P型襯底（1）之間；所述N型重?fù)诫s漏區(qū)（14）位于超結(jié)結(jié)構(gòu)漂移區(qū)的一端，與所述P型條（5）和N型條（6）分別相接觸，而表面與金屬漏電極（13）相接觸；所述P型體區(qū)（7）位于超結(jié)結(jié)構(gòu)漂移區(qū)的另一端，與P型條（5）、N型條（6）和N型緩沖區(qū)（4）均相接觸，其內(nèi)部具有相互獨(dú)立的P型重?fù)诫s體接觸區(qū)（8）和N型重?fù)诫s源區(qū)（9）；所述P型重?fù)诫s體接觸區(qū)（8）和N型重?fù)诫s源區(qū)（9）表面與金屬源電極（10）相接觸；所述柵氧化層（12）位于N型重?fù)诫s源區(qū)（9）與超結(jié)結(jié)構(gòu)漂移區(qū)之間的P型體區(qū)（7）的表面；所述多晶硅柵電極位于柵氧化層（12）表面；
其特征在于，所述P型襯底（1）中還嵌入了若干均勻分布的N+島（2）；所述P型體區(qū)（7）和靠近源端的N型緩沖區(qū)（4）與襯底（1）之間還具有一層P型電場屏蔽埋層（3）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超結(jié)LDMOS器件，其特征在于，所述N+島（2）沿器件寬度方向連續(xù)摻雜形成條狀結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué)，未經(jīng)電子科技大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310077827.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
