[發明專利]一種基于橢偏儀的納米材料熔點的測量方法

無效

• 申請號: 201310077694.4
• 申請日: 2013-03-12
• 公開（公告）號: CN103175785A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 張冬旭;鄭玉祥;陳良堯;吳康寧;張榮君;王松有;李晶;楊月梅
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G01N21/21
• 分類號: G01N21/21
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種基于橢偏儀的納米材料熔點的測量方法，其特征在于具體步驟為：

（1）首先，利用反射式橢偏儀測量不同溫度下納米材料的p光、s光的反射率的比值tanΨ和相位延遲Δ；

（2）然后通過測量得到橢偏參數Ψ、Δ，計算出材料的介電常數ε₁、ε₂以及折射率n、消光系數k；

（3）計算光學常數隨溫度的變化率；

（4）比較光學常數隨溫度的變化譜，以及變化率隨溫度的變化譜，通過觀察其突變來確定被測納米材料的熔點。

2.根據權利要求1所述的基于橢偏儀的納米材料熔點的測量方法，其特征在于步驟（2）中，對于體材料，各參數通過以下公式求得：

??????????????????????????????????????????????????(1)

???????????????????????(2)

??????????????????????????????????????(3)

??????????????????????????????????????(4)。

3.根據權利要求1所述的基于橢偏儀的納米材料熔點的測量方法，其特征在于步驟（3）中，計算光學常數隨溫度變化的變化率：dΨ/dT、dΔ/dT、dn/dT、dk/dT、dε₁/dT和dε₂/dT。