[發明專利]布圖傳導層的方法和器件及其生產的部件

無效

• 申請號: 201310077589.0
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN103199196A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: H.瓦爾特;T.貝爾萊因
• 申請（專利權）人: 西巴控股有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 趙蘇林;李炳愛

1.一種用于布圖傳導層或包括至少一個傳導層的傳導疊層的方法，包括以下步驟：

在基底上形成可壓縮層、或包括至少一層可壓縮層的可壓縮疊層，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm³的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結劑混合的無機氧化物的多孔材料；和

在可壓縮層或疊層上形成傳導層或疊層；

以形成涂覆的基底；以及

將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導層或疊層中形成預定的布圖，其中在壓紋的區域可壓縮層或疊層被壓縮并且傳導層或疊層裝埋入可壓縮層或疊層。

2.根據權利要求1的方法，其中壓紋區域中的傳導層與相鄰未壓紋區域中的傳導層相分離。

3.根據權利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層比涂覆基底中的其它層更容易壓縮。

4.根據權利要求1或2的方法，其中在形成傳導層或疊層之前，在可壓縮層或疊層上形成平滑層。

5.根據權利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層的厚度為200nm-50μm。

6.根據權利要求1或2的方法，其中可壓縮層或疊層的厚度為1μm-20μm。

7.根據權利要求1或2的方法，其中壓紋傳導層或疊層的殘余物或邊沿基本沒有粘結或粘附到可壓縮層或疊層的相鄰壁上。

8.根據權利要求1或2的方法，其中傳導層或疊層包括金屬。

9.根據權利要求1或2的方法，其中傳導層或疊層包括有機導體。

10.根據權利要求1或2的方法，其中傳導層或疊層包括無機導體。

11.根據權利要求1或2的方法，其中壓紋工具的布圖部分的高度小于25μm，優選小于9μm。

12.根據權利要求1或2的方法，其中在步進式機器中或在卷繞式機器中進行壓紋步驟。

13.根據權利要求1或2的方法，其中在升高的溫度下進行壓紋步驟。

14.根據權利要求1或2的方法，進一步包括在壓紋后進行處理的步驟，例如蝕刻、涂覆或等離子體處理。

15.根據權利要求1或2的方法，進一步包括在導體層或疊層的壓紋面積沉積傳導材料的步驟，例如制備晶體管。

16.根據權利要求1或2的方法，進一步包括在傳導層或疊層的壓紋區沉積有機層的步驟，例如制備有機光發射二極管（OLED）。

17.根據權利要求1或2的方法，進一步包括在傳導層或疊層的壓紋區沉積多層的步驟，例如制備太陽能電池、光敏二極管或其它光電器件。

18.一種布圖傳導層或包括至少一層傳導層的疊層的方法，所述方法包括以下步驟：

在基底上涂覆可壓縮間隔層、或包括至少一層可壓縮層的間隔疊層，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm³的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結劑混合的無機氧化物的多孔材料；

在間隔層或間隔疊層上形成傳導層或包括至少一層傳導層的疊層；

將涂覆的基底和壓紋工具接觸，使得在傳導層或疊層中形成需要的布圖，而在壓紋區間隔層或間隔疊層被壓縮，傳導層或包括至少一層傳導層的疊層裝埋入間隔層或間隔疊層中。

19.一種使用如權利要求1-18任一項限定的方法制備的器件。

20.一種使用如權利要求1-18任一項限定的方法制備的有機器件、晶體管、光發射器件或光電器件。

21.包括在可壓縮層或疊層上形成的傳導層或疊層的器件，其中至少傳導層的一部分面積裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm³的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結劑混合的無機氧化物的多孔材料。

22.包括在可壓縮層或疊層上形成的傳導層或疊層的有機器件、晶體管、光發射器件或光電器件，其中至少傳導層的一部分區域裝埋入可壓縮層或疊層的可壓縮區，其中可壓縮層或疊層包括密度低于1.0g/cm³的低密度聚合物或選自二氧化硅、和與粘結劑混合的無機氧化物的多孔材料。

23.在如權利要求1-18任一項限定的方法中使用的壓紋工具。