[發(fā)明專利]一種半導體器件的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310077551.3
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN104051241A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步驟S101：在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層；

步驟S102：在所述第一部分掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層；

其中，所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層共同構成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜，所述第一部分掩膜圖案和所述第二部分掩膜圖案共同構成所述用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的掩膜圖案。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S101包括：

步驟S1011：在待刻蝕膜層上形成第一硬掩膜層；

步驟S1012：在所述第一硬掩膜層上依次形成第一底部抗反射層和第一圖形化的光刻膠；

步驟S1013：以所述第一圖形化的光刻膠為掩膜，對所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進行刻蝕，形成圖形化的第一硬掩膜層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1011還包括：在形成所述第一硬掩膜層之前，在所述待刻蝕膜層上形成輔助硬掩膜層。

4.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1013中對所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進行刻蝕的方法為干法刻蝕，并且，所述步驟S1013還包括對所述圖形化的第一硬掩膜層進行清洗的步驟。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括：

步驟S1021：在所述第一部分掩膜圖案之間填充第二硬掩膜材料，通過化學機械拋光去除多余的第二硬掩膜材料以形成第二硬掩膜層；

步驟S1022：在所述第二硬掩膜層上依次形成第二底部抗反射層和第二圖形化的光刻膠；

步驟S1023：以所述第二圖形化的光刻膠為掩膜對所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進行刻蝕，形成圖形化的第二硬掩膜層。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜材料為氮化硼或氮化鈦。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，填充所述第二硬掩膜材料的方法為化學氣相沉積法。

8.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1023包括：采用氯等離子體對所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進行干法刻蝕形成圖形化的第二硬掩膜層，其中，所述第二圖形化的光刻膠和所述底部抗反射層同時被刻蝕去除。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述待刻蝕膜層為金屬間介電層。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102之后還包括：

步驟S103：以所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層為掩膜，對所述待刻蝕膜層進行刻蝕，形成圖形化的待刻蝕膜層。

11.如權利要求1至10任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料與第二硬掩膜層的材料之間具有高的蝕刻選擇比。

12.如權利要求1至10任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為氧化物。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為四乙基正硅酸鹽。