[發明專利]半導體器件無效
| 申請號: | 201310077475.6 | 申請日: | 2013-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN103311229A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 玉置尚哉 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/66 | 分類號: | H01L23/66;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;黃倩 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件,包括:
半導體芯片;
襯底,用于安裝所述半導體芯片;
天線,形成在所述襯底上并被配置為輻射從所述半導體芯片輸出的信號;以及
樹脂,被配置為覆蓋所述天線,
其中所述襯底包括用于被安裝在另一襯底上的安裝部。
2.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述安裝部包括連接到所述另一襯底的焊料焊區。
3.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述樹脂密封所述半導體芯片、所述襯底和所述天線的至少一部分,以通過所述半導體芯片和所述襯底的結合以及所述襯底的變形來抑制翹曲。
4.根據權利要求3所述的半導體器件,其中所述樹脂包括重量百分比等于或大于85%的金屬氧化物。
5.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述襯底還包括過孔,所述過孔形成在所述襯底的厚度方向上并與所述襯底上形成的電路連接,以及
其中所述過孔包括過孔焊區,所述過孔焊區形成在所述襯底的與所述安裝部相同的表面上并且用于在制造之后通過改變連接關系而改變電路特性。
6.根據權利要求5所述的半導體器件,其中所述過孔包括調整過孔,所述調整過孔與所述天線連接并且被配置為在所述制造之后通過改變所述過孔焊區的所述連接關系而改變所述天線的特性。
7.根據權利要求5所述的半導體器件,其中所述襯底還包括接地的接地平面,以及
其中所述過孔包括用于連接所述天線以及所述接地平面的接地過孔。
8.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述天線被布置在所述襯底的角部中,以使得所述半導體芯片不妨礙所述天線的輻射圖。
9.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述天線包括平板天線。
10.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述天線包括線性天線。
11.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述天線為多個。
12.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括鍵合線,所述鍵合線被配置為連接所述半導體芯片的焊盤以及所述襯底的焊盤。
13.根據權利要求1所述的半導體器件,其中所述襯底還包括另一安裝部,所述另一安裝部用于執行所述半導體芯片的倒裝芯片連接。
14.根據權利要求13所述的半導體器件,還包括:
被堆疊在所述半導體芯片上的所述另一半導體芯片;以及
鍵合線,被配置為連接所述另一半導體芯片的焊盤以及所述襯底的焊盤。
15.根據權利要求1所述的半導體器件,還包括護罩,所述護罩被配置為保護所述半導體芯片和所述襯底,
其中所述天線的至少一部分從所述護罩被暴露。
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