[發明專利]零偏4H-SiC襯底上的同質外延方法

無效

• 申請號: 201310077087.8
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN103199008A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 王悅湖;孫哲;張玉明;張義門;呂紅亮
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種零偏4H-SiC襯底上的同質外延方法，包括以下步驟：

（1）將零偏碳化硅襯底放置到碳化硅CVD設備的反應室中，將反應室抽成真空；

（2）向反應室通入H₂直至反應室氣壓到達100mbar，保持反應室氣壓恒定，再將H₂流量逐漸增至25L/min，繼續向反應室通氣；

（3）打開高頻線圈感應加熱器RF，逐漸增大該加熱器的功率，使反應室溫度升高逐漸至1580℃～1620℃，再將3mL/min的SiH₄通入反應室，使碳化硅襯底在SiH₄與H₂的混合氣體中進行20分鐘的原位刻蝕；

（4）維持原位刻蝕的溫度，向反應室通入C₃H₈和SiH₄，將H₂的流量增至65L/min并保持30分鐘；然后，將SiH₄的流量逐漸增至15mL/min，C₃H₈的流量逐漸增至3mL/min，進行2小時的外延生長，獲得長有碳化硅外延層的襯底片；

（5）停止生長后，繼續向反應室中通入H₂，使襯底片在氫氣流中降溫；

（6）當溫度降低到700℃以下后，再將反應室抽成真空，并充入Ar，使襯底片在氬氣環境下自然冷卻到室溫。

2.根據權利要求1所述的零偏4H-SiC襯底上的同質外延方法，其特征在于所述步驟（4）中通入的C₃H₈和SiH₄，其流量分別是：C₃H₈為0.6mL/min～0.75mL/min，SiH₄為3mL/min～3.75mL/min。

3.根據權利要求1所述的零偏4H-SiC襯底上的同質外延方法，其特征在于所述步驟（6）中通入Ar的流量為12L/min。