[發明專利]金屬柵阻擋層針孔的檢測方法有效
| 申請號： | 201310077026.1 | 申請日： | 2013-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN104051291A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 張子瑩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 阻擋 針孔 檢測 方法 | ||
1.一種金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：
1）提供一襯底，在所述襯底上自下而上依次形成氧化層、金屬柵功函數層及金屬柵阻擋層，以形成測試結構；
2）用SC1溶液接觸所述測試結構中的金屬柵阻擋層；
3）然后再用氫氟酸溶液接觸所述測試結構中的金屬柵阻擋層；
4）在電鏡下觀測經上述兩步獲得的測試結構中的氧化層中是否有腐蝕出的大孔洞以確定所述金屬柵阻擋層中是否有針孔。
2.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述金屬柵功函數層的材料為TiN。
3.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述金屬柵阻擋層的材料位TaN。
4.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述金屬柵功函數層的厚度范圍是0.5~5nm。
5.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述金屬柵阻擋層的厚度范圍是0.5~5nm。
6.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述SC1溶液的溫度范圍是25~60?℃。
7.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述SC1溶液接觸所述測試結構中的金屬柵阻擋層的時間不長于2?min。
8.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述SC1溶液的溫度為30?℃，接觸所述測試結構中的金屬柵阻擋層的時間為1?min。
9.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述金屬柵阻擋層采用原子層淀積法形成。
10.根據權利要求1所述的金屬柵阻擋層針孔的檢測方法，其特征在于：所述氫氟酸溶液的體積配比為H2O:HF=100:1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
