[發(fā)明專利]電子束曝光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310076889.7
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號(hào): CN103135367A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯克玉;王逸群;姜春宇;王德穩(wěn);周震華
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電子束曝光方法，其特征在于，包括：

s1、在待加工樣品上涂覆一層底層電子束抗蝕劑；

s2、在底層的電子束抗蝕劑上形成金屬層；

s3、在金屬層上涂覆一層頂層電子束抗蝕劑；

s4、電子束曝光，在頂層電子束抗蝕劑上面形成所需要的納米尺寸的曝光圖形；

s5、用頂層電子束抗蝕劑做掩膜刻蝕金屬層及底層電子束抗蝕劑，將曝光圖形轉(zhuǎn)移到待加工樣品上，

所述的待加工樣品為絕緣材料或低電導(dǎo)率的材料，所述的低電導(dǎo)率材料的電導(dǎo)率為

10^-18s/m~10^-13s/m。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述的底層電子束抗蝕劑和頂層電子束抗蝕劑選自PMMA、ZEP520或HSQ。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述底層電子束抗蝕劑的溫度耐受性不低于頂層電子束抗蝕劑的溫度耐受性。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為5~500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述的金屬層是通過濺射或蒸發(fā)的方式獲得。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述的金屬層的刻蝕采用離子束刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述的底層電子束抗蝕劑采用反應(yīng)離子刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述步驟s5中，圖形轉(zhuǎn)移可采用剝離工藝或干法刻蝕刻蝕工藝獲得。