[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310076791.1
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN104051635A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;馮小明;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、陽極層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極層，所述電子傳輸層包括至少一個電子傳輸單元，每個電子傳輸單元包括層疊于所述發(fā)光層上的n型阻擋部和層疊于所述n型阻擋部上的n型摻雜傳輸部；所述n型阻擋部的材料為有機金屬配合物，所述有機金屬配合物由鈹、鎵、鋅、銦及鋁中的一種與羥基喹啉、羥基喹啉的衍生物、羥基苯并喹啉及羥基苯并喹啉的衍生物中的一種配合形成；所述n型摻雜傳輸層的材料包括電子傳輸基質(zhì)材料及摻雜于所述電子傳輸基質(zhì)材料中的n型摻雜劑，所述n型摻雜劑為堿金屬化合物；且所述n型摻雜劑與所述電子傳輸基質(zhì)材料的質(zhì)量比為0.05:1～0.2:1。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述n型摻雜劑為碳酸鋰、疊氮化鋰、疊氮化銫或碳酸銫。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸基質(zhì)材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為30納米～100納米；所述n型阻擋部的厚度為5納米～10納米；所述n型摻雜傳輸部的厚度為5納米～20納米。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機金屬配合物為雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1′-聯(lián)苯-4-羥基)鋁、8-羥基喹啉鎵、8-羥基喹啉銦、8-羥基喹啉鋅、8-羥基喹啉鈹、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹、三(5-羥甲基-8-羥基喹啉)鋁或雙(5,7-二氯-8-羥基喹啉)(8-羥基喹啉)鋁。

6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，

所述基板的材料為玻璃；

所述陽極層的材料為透明氧化物導電薄膜；所述陽極層的厚度為70納米～200納米；

所述空穴傳輸層的材料包括空穴傳輸基質(zhì)材料及摻雜于所述空穴傳輸基質(zhì)材料中的p型摻雜劑；所述空穴傳輸基質(zhì)材料為酞菁鋅、酞菁銅、4,4′,4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯(lián)苯-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N,N′,N′-四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯或4,4′,4″-三（咔唑-9-基）三苯胺；所述p型摻雜劑為1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲對萘醌、2,2′-(2,5-二氰基-3,6-二氟環(huán)己烷-2,5-二烯-1,4-二亞基)二丙二腈、氧化錸、氧化鎢或氧化鉬；所述p型摻雜劑與所述空穴傳輸基質(zhì)材料的質(zhì)量比為0.05:1～0.2:1；所述空穴傳輸層的厚度為30納米～80納米；

所述電子阻擋層的材料為1,1-二(4-(N,N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷；所述電子阻擋層的厚度為5納米～10納米；

所述發(fā)光層的材料為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-（4-聯(lián)苯酚）鋁、4-（二腈甲烯基）-2-異丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉鋁、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，或所述4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二（2-甲基-8-羥基喹啉）-（4-聯(lián)苯酚）鋁、4-（二腈甲烯基）-2-異丙基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、二甲基喹吖啶酮、8-羥基喹啉鋁、4,4′-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1′-聯(lián)苯、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、二（1-苯基異喹啉）（乙酰丙酮）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種與所述空穴傳輸基質(zhì)材料及電子傳輸基質(zhì)材料中的至少一種混合摻雜形成的材料；所述電子傳輸基質(zhì)材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物；所述發(fā)光層的厚度為2納米～15納米；及

所述陰極層的材料為銀、鋁、鎂銀合金或鎂鋁合金；所述陰極層的厚度為70納米～200納米。