[發明專利]帶壓電體膜的基板、壓電體膜元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310076574.2
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN103325937B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 渡邊和俊;柴田憲治;末永和史;野本明;堀切文正
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L41/083
• 分類號: H01L41/083;H01L41/27;H01L21/66
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 鐘晶,於毓楨

1.一種帶壓電體膜的基板，其特征是，

順次層疊有在主面上形成的下電極和在所述下電極上形成的鈣鈦礦結構的壓電體膜；

所述壓電體膜的厚度為0.3μm以上10μm以下；

在表示反射率和波長關系的反射光譜，即所述壓電體膜的中心部和外周部的各至少1點的所述反射光譜中，極大值和極小值分別具有至少1個，并且所述極大值中至少1個的所述反射率為0.4以上，所述反射率由對所述壓電體膜的表面照射的波長400nm～800nm范圍的照射光在所述壓電體膜的表面反射的光與所述照射光透過所述壓電體膜在所述下電極的表面反射的光通過干涉而得的反射光算出。

2.根據權利要求1所述的帶壓電體膜的基板，其特征是，所述下電極在對其表面照射波長400nm～800nm范圍的照射光時的反射率，在所述波長400nm～800nm范圍的一半以上的區域內為0.7以上。

3.根據權利要求1或2所述的帶壓電體膜的基板，其特征是，所述壓電體膜的表面粗糙度Ra為20nm以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的帶壓電體膜的基板，其特征是，當將所述壓電體膜的中心位置與距所述壓電體膜的中心位置規定距離的位置的表面高度之差設為翹曲量時，所述翹曲量為60μm以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的帶壓電體膜的基板，其特征是，所述壓電體膜是由通式（K_1-xNa_x）NbO₃表示的鈮酸鉀鈉，其中，0<x<1。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的帶壓電體膜的基板，其特征是，所述下電極是以Pt、Ru、Ir、Sn、In或這些物質的氧化物為主要成分的電極層，或者包含這些電極層的層疊結構的電極層。

7.一種壓電體膜元件，其特征是，具備權利要求1～6中任一項所述的帶壓電體膜的基板和在所述壓電體膜上形成的上電極。

8.一種壓電體膜元件的制造方法，其特征是，在基板上通過濺射法分別形成至少下電極、鈣鈦礦結構的壓電體膜和上電極的壓電體膜元件的制造方法中，具有以下工序：

在形成所述上電極之前，對在所述下電極上形成的所述壓電體膜的表面照射波長400nm～800nm范圍的照射光的工序；

對所述照射光在所述壓電體膜的表面反射的光和所述照射光透過所述壓電體膜在所述下電極的表面反射的光通過干涉而得到的反射光進行接收的工序；

得到表示由所述反射光算出的反射率和所述波長關系的反射光譜的工序；以及

判斷在所述壓電體膜的中心部和外周部的各至少1點所得到的所述反射光譜中，極大值和極小值分別具有至少1個，并且所述極大值中至少1個的所述反射率為0.4以上的工序。