[發(fā)明專利]用于集成MEMS?CMOS裝置的方法和結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310076476.9 | 申請日： | 2013-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN103303859B | 公開（公告）日： | 2017-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 桑德希爾·S·希瑞達(dá)拉莫爾希;提-希斯·特倫斯·李;阿里·J·拉斯特加爾;姆谷拉爾·斯唐庫;肖·查理斯·楊 | 申請（專利權(quán)）人： | 矽立科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11204 | 代理人： | 余朦,王艷春 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 集成 mems cmos 裝置 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于制造集成的MEMS-COMS裝置的方法，包括：
提供具有表面區(qū)的基板構(gòu)件；
形成上覆蓋所述表面區(qū)的CMOS?IC層，所述CMOS?IC層具有至少一個(gè)CMOS裝置；
形成上覆蓋所述CMOS?IC層的MEMS層，所述MEMS層具有MEMS接觸區(qū)、CMOS接觸區(qū)以及至少一個(gè)MEMS裝置，其中所述至少一個(gè)MEMS裝置耦合至所述MEMS接觸區(qū)，并且所述至少一個(gè)CMOS裝置耦合至所述CMOS接觸區(qū)，所述至少一個(gè)MEMS裝置與所述至少一個(gè)CMOS裝置未耦合；以及
經(jīng)由MEMS跳線結(jié)構(gòu)將所述MEMS接觸區(qū)和所述CMOS接觸區(qū)耦合，所述MEMS跳線結(jié)構(gòu)將所述至少一個(gè)MEMS裝置與所述至少一個(gè)CMOS裝置電耦合。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成MEMS層的步驟還包括：
在所述CMOS接觸區(qū)的附近形成接地接觸區(qū)，所述接地接觸區(qū)耦合至地。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述MEMS接觸區(qū)、所述CMOS接觸區(qū)和所述接地接觸區(qū)形成為電極或通過結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
形成耦合至所述至少一個(gè)CMOS裝置的至少一個(gè)ESD保護(hù)二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：
形成上覆蓋所述至少一個(gè)CMOS裝置的電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)，所述電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)耦合至地和所述至少一個(gè)CMOS裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)將在MEMS蝕刻處理時(shí)形成的等離子體感生電荷引導(dǎo)至地。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個(gè)MEMS裝置包括慣性傳感器、加速計(jì)、陀螺儀、磁場傳感器、壓力傳感器、濕度傳感器、溫度傳感器、化學(xué)傳感器或生物傳感器。
8.一種用于制造集成的MEMS-COMS裝置的方法，包括：
提供具有表面區(qū)的基板；
形成上覆蓋所述表面區(qū)的CMOS?IC層，所述CMOS?IC層具有至少一個(gè)CMOS裝置和至少一個(gè)ESD保護(hù)二極管，其中所述至少一個(gè)ESD保護(hù)二極管耦合至所述至少一個(gè)CMOS裝置；
形成上覆蓋所述CMOS?IC層的MEMS層，所述MEMS層具有至少一個(gè)MEMS裝置，其中所述至少一個(gè)MEMS裝置電耦合至所述至少一個(gè)CMOS裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括形成上覆蓋所述至少一個(gè)CMOS裝置的電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)，所述電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)耦合至地和所述至少一個(gè)CMOS裝置。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述電極接地環(huán)結(jié)構(gòu)將在MEMS蝕刻處理時(shí)產(chǎn)生的等離子體感生電荷引導(dǎo)至地。
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