[發明專利]一種具有P浮空層電流栓的RC-IGBT

無效

• 申請號: 201310076402.5
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN103219370A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 李澤宏;陳偉中;劉永;任敏;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種具有P浮空層電流栓的RC-IGBT，包括N-漂移區（6），N-漂移區（6）的頂層中具有均勻分布的多個P型體區（5），N-漂移區（6）的底部具有與N-漂移區（6）相接觸的N緩沖層（7）；N緩沖層（7）底部具有與N緩沖層（7）相接觸的、且橫向方向上由N集電區（8）和P集電區（9）構成的復合集電區；每個P型體區（5）中至少具有一個N+有源區（1），N+有源區（1）表面與金屬發射極（4）相接觸；相鄰兩個P型體區（5）之間的N-漂移區（6）的表面上方具有一個多晶硅柵電極（2），多晶硅柵電極（2）與N-漂移區（6）的表面之間具有二氧化硅柵氧化層，多晶硅柵電極（2）與金屬發射極（4）之間具有二氧化硅場氧化層；

所述N集電區（8）和P集電區（9）之間還具有一個介質埋層（11），所述介質埋層（11）實現N集電區（8）和P集電區（9）的電隔離；所述介質埋層（11）上方的N型緩沖層（7）中還具有一個P浮空層（10），所述P浮空層（10）將N型緩沖層（7）分割成N集電區（8）與N-漂移區（6）之間的N型緩沖層和P集電區（9）與N-漂移區（6）之間的N型緩沖層兩部分。

2.根據權利要求1所述的具有P浮空層電流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述介質埋層11材料是SiO₂、Si₃N₄、HfO₂或苯并環丁烯。

3.根據權利要求1所述的具有P浮空層電流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述多晶硅柵電極（2）是平面柵電極結構或溝槽柵電極結構。

4.根據權利要求1所述的具有P浮空層電流栓的RC-IGBT，其特征在于，所述N-漂移區（6）中還具有縱向間隔分布的P型條，使得漂移區形成超結結構。