[發明專利]一種雙界面卡的制造方法與生產裝置有效
| 申請號: | 201310076310.7 | 申請日: | 2013-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN103199024A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 向澤亮 | 申請(專利權)人: | 向澤亮 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/67;G06K19/07 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 界面 制造 方法 生產 裝置 | ||
1.一種雙界面卡的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
A1、沖切雙界面芯片條帶,得到雙界面芯片,采用真空吸盤吸住所述雙界面芯片,放到雙界面芯片槽位進行修正,在雙界面芯片背面的各觸點,分別用錫線加熱焊接形成錫點;
A2、將錫銅條沖切成預設置形狀的錫銅片,在卡片材料的各預設卡基部的位置,沖出兩個錫銅片避空位,每個所述錫銅片避空位預埋設置一錫銅片,并且,在所述卡片材料的各預設卡基部的位置,植入漆包銅線,將所述漆包銅線的兩端分別采用碰焊方式,固定連接到對應的一所述錫銅片上;
A3、將所述卡片材料采用層壓沖卡方式制作雙界面卡的卡基部,用銑槽單元將所述卡基部銑除部分卡片材料,分別露出所述錫銅片以及雙界面芯片避空槽,并在熱熔膠條帶上沖出所述雙界面卡的雙界面芯片避空位;
A4、采用激光焊接單元,將銑槽后的所述雙界面卡的卡基部的各錫銅片,與所述雙界面芯片上對應的錫點,分別用激光焊接在一錫銅線上,然后采用切線單元切除多余的錫銅線;
A5、采用芯片翻轉單元,80至100度翻轉所述雙界面芯片,使其各讀寫觸點向上,并通過芯片夾線單元整理所述雙界面芯片與所述雙界面卡之間的錫銅線,避免所述錫銅線存在所述雙界面芯片安裝后裸露在其外面的部分;
A6、根據預設置的尺寸標準,分別通過一組左右修正機械單元與一組前后修正機械單元對所述雙界面芯片進行位置修正,然后依序通過芯片點焊單元、芯片熱焊單元、芯片冷焊單元,焊接得到所述雙界面卡。
2.根據權利要求1所述制造方法,其特征在于,步驟A3中,所述植入漆包銅線的卡片材料,位于所述雙界面卡的中間層,其與所述雙界面卡錫銅片露出側的表面的距離為0.48至0.52mm,與所述雙界面卡另一表面的距離相應為0.33至0.29mm。
3.根據權利要求1所述制造方法,其特征在于,步驟A3中,所述層壓沖卡之前,在所述卡片材料上覆蓋保護膜。
4.根據權利要求1所述制造方法,其特征在于,步驟A3中,露出所述錫銅片的面積為40%至60%,露出形狀與其原本形狀相似。
5.根據權利要求1所述制造方法,其特征在于,步驟A1與步驟A3同步進行,共同步進到步驟A4執行激光焊接在錫銅線的步驟。
6.一種雙界面卡的生產裝置,其特征在于,包括:
雙界面芯片沖切單元,用于沖切雙界面芯片條帶,得到雙界面芯片;
真空吸附單元,用于采用真空吸盤吸住所述雙界面芯片,放到雙界面芯片槽位;
芯片修正轉盤單元,設置若干雙界面芯片槽位,用于修正所述雙界面芯片;
芯片觸點加錫單元,用于在所述雙界面芯片背面的各觸點,分別用錫線加熱焊接形成錫點;
錫銅條沖切單元,用于將錫銅條沖切成預設置形狀的錫銅片;
沖避空位單元,用于在卡片材料的各預設卡基部的位置,沖出兩個錫銅片避空位,還用于在熱熔膠條帶上沖出所述雙界面卡的雙界面芯片避空位;
埋設單元,用于在每個所述錫銅片避空位預埋設置一錫銅片,以及在所述卡片材料的各預設卡基部的位置,植入漆包銅線;
碰焊單元,用于將所述漆包銅線的兩端分別采用碰焊方式,固定連接到對應的一所述錫銅片上;
沖壓單元,用于將所述卡片材料采用層壓沖卡方式制作雙界面卡的卡基部;
銑槽單元,用于將所述卡基部銑除部分卡片材料,分別露出所述錫銅片以及雙界面芯片避空槽;
激光焊接單元,用于將銑槽后的所述雙界面卡的卡基部的各錫銅片,與所述雙界面芯片上對應的錫點,分別用激光焊接在一錫銅線上;
切線單元,用于切除多余的錫銅線;
芯片翻轉單元,用于80至100度翻轉所述雙界面芯片,使其各讀寫觸點向上;
芯片夾線單元,用于整理所述雙界面芯片與所述雙界面卡之間的錫銅線,避免所述錫銅線存在所述雙界面芯片安裝后裸露在其外面的部分;
一組左右修正機械單元,用于對所述雙界面芯片進行左右位置修正;
一組前后修正機械單元,用于對所述雙界面芯片進行前后位置修正;
芯片點焊單元,用于對所述雙界面芯片進行修正及點焊;
芯片熱焊單元,用于對所述雙界面芯片進行熱焊;
芯片冷焊單元,用于對所述雙界面芯片進行冷焊;
傳輸裝置,包含若干傳輸單元,分別用于在各個單元之間傳輸所述雙界面芯片、所述雙界面卡。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





