[發明專利]半導體發光元件

無效

• 申請號: 201310075837.8
• 申請日: 2009-12-02
• 公開（公告）號: CN103137821A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 村本衛司;布上真也
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉薇;陳海紅

1.一種半導體發光元件，包括：

n型半導體層；

p型半導體層；

在上述n型半導體層與上述p型半導體層之間形成的發光的活性層；

p電極，其與上述p型半導體層接觸，并包括氧含有率小于40原子%的第1導電性氧化物層和與上述第1導電性氧化物層接觸且氧含有率比上述第1導電性氧化物層高的第2導電性氧化物層；以及

與上述n型半導體層電連接的n電極。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層至少包含一個從In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的組中選擇的元素。

3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的接觸電阻小于1×10^-2Ω·cm²。

4.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在10nm以上且100nm以下。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第2導電性氧化物層的透過率比上述第1導電性氧化物層的透過率高。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，還包括：基板，在其上形成有上述n型半導體層，其中，上述基板是藍寶石基板或者半導體基板。

7.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在30nm以上。

8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在30nm以上且50nm以下。

9.一種半導體發光元件，包括：

n型半導體層；

在上述n型半導體層上形成的發光的活性層；

在上述活性層上形成的p型半導體層；

p電極，其在上述p型半導體層上形成，并包括氧含有率小于40原子%的第1導電性氧化物層和在上述第1導電性氧化物層上形成的且氧含有率比上述第1導電性氧化物層高的第2導電性氧化物層；以及

在與上述n型半導體層相反一側的面形成的n電極。

10.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層至少包含一個從In、Zn、Sn、Ni、Mg、Cu、Au、Pd、Rh、Ga的組中選擇的元素。

11.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的接觸電阻小于1×10^-2Ω·cm²。

12.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在10nm以上且100nm以下。

13.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第2導電性氧化物層的透過率比上述第1導電性氧化物層的透過率高。

14.根據權利要求9所述的半導體發光元件，還包括：基板，在其上形成有上述n型半導體層，其中，上述基板是半導體基板。

15.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在30nm以上。

16.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，上述第1導電性氧化物層的膜厚度在30nm以上且50nm以下。