[發(fā)明專利]液處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310075206.6 | 申請日: | 2013-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN103311155A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江頭浩司 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置包括:
基板保持部,其能旋轉(zhuǎn),用于與基板分開地從下方水平保持基板;
旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部,其用于驅(qū)動上述基板保持部而使上述基板保持部旋轉(zhuǎn);
噴嘴,其用于對由上述基板保持部保持著的上述基板供給處理液;
空氣供給部,其設(shè)于由上述基板保持部保持著的上述基板的上方,用于朝向該基板供給空氣;
空氣供給路徑,其具有用于吸引自上述空氣供給部供給來的空氣的吸引口,該空氣供給路徑用于向形成在由該基板保持部保持著的該基板的下表面與該基板保持部之間的基板下方空間供給自上述吸引口吸引來的空氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置還包括回收杯,該回收杯設(shè)于上述基板保持部的側(cè)方,用于回收自上述基板向側(cè)方飛散的處理液,
在俯視時,上述空氣供給路徑的上述吸引口配置在上述回收杯的外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置還包括:
過濾構(gòu)件,其用于對自上述空氣供給部供給過來的空氣進行凈化;以及
整流構(gòu)件,其與上述過濾構(gòu)件分開地設(shè)置,該整流構(gòu)件用于對由該過濾構(gòu)件凈化后的空氣進行整流而形成朝向由上述基板保持部保持著的上述基板去的下降流,
上述空氣供給路徑的上述吸引口配置于在上述過濾構(gòu)件與上述整流構(gòu)件之間形成的空間中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的液處理裝置,其特征在于,
上述空氣供給路徑還具有用于向上述基板下方空間供給自上述吸引口吸引來的空氣的供給口,
上述空氣供給路徑的上述吸引口的流路截面積與上述供給口的流路截面積相同或大于該供給口的流路截面積。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的液處理裝置,其特征在于,
上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部具有圓筒狀的旋轉(zhuǎn)軸,
上述空氣供給路徑具有通過上述旋轉(zhuǎn)軸的內(nèi)側(cè)的貫通供給管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液處理裝置,其特征在于,
在上述貫通供給管的內(nèi)側(cè)設(shè)有用于向由上述基板保持部保持著的上述基板的下表面供給處理液的下表面?zhèn)忍幚硪汗┙o管。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液處理裝置,其特征在于,
上述空氣供給路徑的上述貫通供給管與上述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部的上述旋轉(zhuǎn)軸相連結(jié),
在上述貫通供給管的內(nèi)表面設(shè)有用于使通過該貫通供給管的空氣產(chǎn)生渦流而使向上述基板下方空間供給的空氣的流量增大的渦流產(chǎn)生機構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的液處理裝置,其特征在于,
該液處理裝置還具有用于控制上述空氣供給部的控制部,
上述控制部以使自上述空氣供給部供給的空氣的流量隨著由上述基板保持部保持著的上述基板的轉(zhuǎn)速的上升而增大方式控制上述空氣供給部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





