[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310074758.5
• 申請(qǐng)日: 2013-03-08
• 公開（公告）號(hào): CN104037058B
• 公開（公告）日: 2016-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖淼;陳芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L27/01
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，會(huì)大量的使用多晶硅電阻。尤其是CMOS和BiCOMS工藝中經(jīng)常采用多晶硅電阻，例如用于MOS晶體管的柵結(jié)構(gòu)中的多晶硅采用重?fù)诫s以提高導(dǎo)電性，通常方塊電阻在25Ω/方塊～50Ω/方塊。目前，多晶硅電阻在半導(dǎo)體器件中，作為精確被動(dòng)電阻器（Precise?Passive?resistor?Devices）廣泛采用金屬硅化的多晶硅材料或未進(jìn)行金屬硅化的多晶硅材料。

然而，電阻器件具有共性的缺陷，即，隨溫度的變化電阻值發(fā)生漂移，因此電阻器件在半導(dǎo)體器件實(shí)際工作過程中會(huì)產(chǎn)生電阻值漂移，進(jìn)而影響器件的工作穩(wěn)定性和功耗等性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種具有溫度電阻系數(shù)恒定的多晶硅電阻的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在一半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成至少兩個(gè)光刻膠圖形，所述光刻膠圖形間隔排列；

在未被所述光刻膠圖形覆蓋的多晶硅層上形成金屬硅化物層，所述金屬硅化物層滿足：

（S1/S2）的比值為（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值的0.8～1.2倍

其中，S1為金屬硅化物層的面積，RSH1為金屬硅化物層的方塊電阻，TCT1為金屬硅化物層的電阻溫度系數(shù)，S2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的面積，RSH2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的方塊電阻，TCT2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的電阻溫度系數(shù)。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層滿足：

（S1/S2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值相等。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層的形狀為方形。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層的寬度與所述未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的寬度相等，且所述金屬硅化物層滿足：

（L1/L2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值為0.8～1.2

其中，L1為金屬硅化物層的長(zhǎng)度，L2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層滿足：

（L1/L2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值相等。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底、形成于半導(dǎo)體襯底上的多晶硅層、以及間隔排列于所述多晶硅層上的金屬硅化物層，所述金屬硅化物層滿足：

（S1/S2）的比值為（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值的0.8～1.2倍，其中，S1為金屬硅化物層的面積，RSH1為金屬硅化物層的方塊電阻，TCT1為金屬硅化物層的電阻溫度系數(shù)，S2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的面積，RSH2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的方塊電阻，TCT2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的電阻溫度系數(shù)。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層滿足：

（S1/S2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值相等。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層的形狀為方形。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層的寬度與所述未覆蓋金屬硅化物層的多晶硅層的寬度相等，且所述金屬硅化物層滿足：

（L1/L2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值為0.8～1.2

其中，L1為金屬硅化物層的長(zhǎng)度，L2為未被金屬硅化物層覆蓋的多晶硅層的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步的，所述金屬硅化物層滿足：

（L1/L2）的比值與（RSH1*TCT1）/（RSH2*TCT2）比值相等。

綜上所述，本發(fā)明所述半導(dǎo)體器件及其制造方法，采用金屬硅化的多晶硅材料或未進(jìn)行金屬硅化的多晶硅材料相結(jié)合的多晶硅電阻器件，且在制作過程中通過對(duì)金屬硅化的多晶硅材料或未進(jìn)行金屬硅化的多晶硅材料進(jìn)行設(shè)計(jì)，從而使多晶硅電阻器件的電阻溫度系數(shù)保持基本恒定，在半導(dǎo)體器件的實(shí)際工作過程中，不會(huì)產(chǎn)生電阻值漂移，進(jìn)而提高半導(dǎo)體器件的工作穩(wěn)定性和功耗等性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中所述的半導(dǎo)體器件的制作方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中所述的半導(dǎo)體器件制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；