[發明專利]殼體及其制作方法

有效

• 申請號: 201310074121.6
• 申請日: 2013-03-08
• 公開（公告）號: CN104032260B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 張春杰
• 申請（專利權）人: 深圳富泰宏精密工業有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司44334
• 代理人: 謝志為

1.一種殼體，其包括基體及依次形成于基體表面的打底層、過渡層、及顏色層，其特征在于：該打底層為鈦和M的混鍍層，其中M選自鉻、鋁、或硅中的一種；該過渡層為氧化層，且所述氧化層為氧化鋁層、氧化鋯層、或二氧化硅層；該顏色層為鈦鋁氮層。

2.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述基體的材質為模具鋼、陶瓷、或不銹鋼。

3.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述打底層的厚度為0.1～0.3μm；該打底層中，鈦的質量百分比為50～70％，M的質量百分比為30～50％。

4.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述過渡層的厚度為0.3～0.5μm。

5.如權利要求1所述的殼體，其特征在于：所述顏色層的厚度為0.5～1μm，且該顏色層呈紫色；該顏色層中，氮化鈦的質量百分比為30～40％，氮化鋁的質量百分比為60～70％。

6.一種殼體的制作方法，其包括如下步驟：

提供一基體；

采用真空鍍膜法在該基體的表面依次形成打底層、過渡層、及顏色層，該打底層為鈦和M的混鍍層，其中M選自鉻、鋁、或硅中的一種；該過渡層為氧化層，且所述氧化層為氧化鋁層、氧化鋯層、或二氧化硅層；該顏色層為鈦鋁氮層。

7.如權利要求6所述的殼體的制作方法，其特征在于：采用一真空鍍膜機對該基體進行鍍覆處理，該真空鍍膜機包括一鍍膜室及設置于該鍍膜室中的一治具、一第一靶材、一第二靶材、一第三靶材、及一第四靶材，該第一靶材為鈦靶，該第二靶材為鉻靶、鋁靶、或硅靶，該第三靶材為鋁靶、鋯靶、或硅靶，該第四靶材中含有鈦和鋁，其中該第四靶材中鈦的質量百分含量為40～50％，鋁的質量百分含量為50～60％。

8.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：形成所述打底層的方法為：開啟第一靶材和第二靶材，調節該鍍膜室內的占空比為45～55％，對該基體施加偏壓為300～350V，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100～150sccm，鍍膜時間為10～20min。

9.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：形成所述過渡層的方法為：開啟第三靶材，調節該鍍膜室內的占空比為40～50％，對該基體施加偏壓為250～300V，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為100～150sccm，以氧氣為反應氣體，氧氣的流量為250～300sccm，鍍膜時間為50～60min。

10.如權利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于：形成所述顏色層的方法為：開啟第四靶材，調節該鍍膜室內的占空比為30～45％，對該基體施加偏壓為250～300V，以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為60～80sccm，以氮氣為反應氣體，氮氣的流量為250～300sccm，鍍膜時間為35～45min。