[發明專利]一種立方結構MgZnO薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310073945.1 | 申請日： | 2013-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN103205706A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 韓舜;呂有明;朱德亮;曹培江;馬曉翠;柳文軍;賈芳;邵玉坤 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 陳健 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 立方 結構 mgzno 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
制備Mg0.5Zn0.5O靶材；
將襯底放入腔體中，加熱所述襯底至400℃～500℃，通入流量為10sccm～70sccm的氧氣，使腔體壓強在4～8Pa，然后采用所述Mg0.5Zn0.5O靶材，在所述襯底上進行脈沖沉積，獲得所述立方結構MgZnO薄膜。
2.如權利要求1所述的立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述氧氣為高純氧氣。
3.如權利要求1所述的立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底與靶材的距離為50～90mm。
4.如權利要求1所述的立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述脈沖沉積的時間為100～140min。
5.如權利要求1所述的立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述脈沖沉積的激光能量為250～350mJ。
6.如權利要求1所述的立方結構MgZnO薄膜的制備方法，其特征在于，所述將襯底放入腔體中后，加熱襯底前，還包括對腔體抽真空的步驟。
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