[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310073197.7
• 申請(qǐng)日: 2013-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN103367422A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 多木俊裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

其中產(chǎn)生有二維電子氣的化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上的電極，

其中所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)包括在產(chǎn)生有所述二維電子氣的部分下方的p型半導(dǎo)體層，以及

所述p型半導(dǎo)體層包括比所述p型半導(dǎo)體層的其它部分包含有更大量的離子化受主的部分，所述部分位于所述電極下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型半導(dǎo)體層由選自p-GaN、p-AlGaN、p-InAlN和p-AlN中的材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分包含用于受主鈍化的雜質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分比包含有更大量的所述離子化受主的所述部分薄。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分的離子化受主濃度比包含有更大量的所述離子化受主的所述部分的離子化受主濃度低。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中在所述p型半導(dǎo)體層中，包含有更大量的所述離子化受主的所述部分偏向所述電極的一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述電極與所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述電極設(shè)置在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上并且在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)與所述電極之間設(shè)置有絕緣膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述電極與所述絕緣膜形成為填充在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)中形成的凹部。

10.一種用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

形成其中產(chǎn)生有二維電子氣的化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)；以及

在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上形成電極，

其中在形成所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)時(shí)，在對(duì)應(yīng)于待產(chǎn)生所述二維電子氣的部分下方的部分中形成p型半導(dǎo)體層，以及

所述p型半導(dǎo)體層包括比所述p型半導(dǎo)體層的其它部分包含有更大量的離子化受主的部分，所述部分位于所述電極下方。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述p型半導(dǎo)體層由選自p-GaN、p-AlGaN、p-InAlN和p-AlN中的材料形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分包含用于受主鈍化的雜質(zhì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分比包含有更大量的所述離子化受主的所述部分薄。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述p型半導(dǎo)體層的所述其它部分的離子化受主濃度比包含有更大量的所述離子化受主的所述部分的離子化受主濃度低。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述p型半導(dǎo)體層中，包含有更大量的所述離子化受主的所述部分偏向所述電極的一側(cè)。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述電極與所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上形成所述電極并且在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)與所述電極之間設(shè)置有絕緣膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中將所述電極形成為填充在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)中形成的凹部且同時(shí)將所述絕緣膜設(shè)置在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)與所述電極之間。

19.一種電源電路，包括：

高壓電路；

低壓電路；以及

設(shè)置在所述高壓電路與所述低壓電路之間的變壓器，

所述高壓電路包括晶體管，所述晶體管包括：

其中產(chǎn)生有二維電子氣的化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)，以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上的電極，

其中所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)包括在產(chǎn)生有所述二維電子氣的部分下方的p型半導(dǎo)體層，以及

所述p型半導(dǎo)體層包括比所述p型半導(dǎo)體層的其它部分包含有更大量的離子化受主的部分，所述部分位于所述電極下方。

20.一種配置為放大輸入高頻電壓并且輸出所述經(jīng)放大的電壓的高頻放大器，包括：

晶體管，所述晶體管包括：

其中產(chǎn)生有二維電子氣的化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)，以及

形成在所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)上的電極，

其中所述化合物半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)包括在產(chǎn)生有所述二維電子氣的部分下方的p型半導(dǎo)體層，以及

所述p型半導(dǎo)體層包括比所述p型半導(dǎo)體層的其它部分包含有更大量的離子化受主的部分，所述部分位于所述電極下方。