[發(fā)明專利]記憶元件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310073110.6
• 申請(qǐng)日: 2013-03-07
• 公開（公告）號(hào): CN104037207A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏士貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/336
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶元件，其特征在于其包括：

一第一介電層，配置于一襯底上；

一T型柵極，配置于該第一介電層上且具有一上部柵極及一下部柵極，其中二空隙分別存在于該下部柵極的兩側(cè)以及該上部柵極與該襯底之間；

二電荷儲(chǔ)存層，分別嵌入該些空隙中；以及

二第二介電層，配置于該些電荷儲(chǔ)存層與該上部柵極之間、該些電荷儲(chǔ)存層與該下部柵極之間以及該些電荷儲(chǔ)存層與該襯底之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中該第一介電層的厚度小于等于該些第二介電層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中該下部柵極的厚度與該上部柵極的厚度的比值為2～1/25。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中各電荷儲(chǔ)存層的邊界突出于該上部柵極的邊界。

5.一種記憶元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一襯底上形成多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，各堆疊結(jié)構(gòu)包括由下向上配置的一第一介電層、一下部柵極以及一犧牲圖案，其中二空隙分別存在于各下部柵極的兩側(cè)以及對(duì)應(yīng)的該犧牲圖案與該襯底之間；

在各犧牲圖案下方的該些空隙中形成二電荷儲(chǔ)存層以及二第二介電層，其中該些第二介電層配置于該些電荷儲(chǔ)存層與該犧牲圖案之間、該些電荷儲(chǔ)存層與該下部柵極之間以及該些電荷儲(chǔ)存層與該襯底之間；

形成一第三介電層以填滿該些堆疊結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)間隙；

移除該些犧牲圖案，以在該第三介電層中形成多個(gè)開口；以及

在該些開口中分別形成多個(gè)上部柵極，其中各上部柵極以及對(duì)應(yīng)的該下部柵極構(gòu)成一T型柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中形成該些堆疊結(jié)構(gòu)的方法包括：

在該襯底上依序形成一第一介電材料層、一下部柵極材料層及一犧牲層；

在該犧牲層上形成一圖案化掩膜層；

以該圖案化掩膜層為掩膜，移除部分該犧牲層及部分該下部柵極材料層，以形成該些下部柵極以及位于該些下部柵極上的該些犧牲圖案；

削減該些下部柵極的寬度，以在各犧牲圖案的下方形成二底切；以及

移除未被經(jīng)削減的該些下部柵極覆蓋的該第一介電材料層，以分別在該些下部柵極的下方形成該些第一介電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中該犧牲層的材料包括氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中形成該些電荷儲(chǔ)存層及該些第二介電層的方法包括：

在該襯底上形成一第二介電材料層，其中該第二介電材料層覆蓋該些堆疊結(jié)構(gòu)以及該些堆疊結(jié)構(gòu)之間的該襯底；

形成一電荷儲(chǔ)存材料層，其中該電荷儲(chǔ)存材料層覆蓋該第二介電材料層并填滿該些空隙；以及

移除部分該電荷儲(chǔ)存材料層及部分該第二介電材料層。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中該些第一介電層的厚度小于等于該些第二介電層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中該些下部柵極的厚度與該些上部柵極的厚度的比值為2～1/25。