[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310073046.1 | 申請日: | 2013-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN104037350A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周明杰;鐘鐵濤;張振華;王平 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518052 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,包括依次層疊結(jié)合的透光襯底層、陽極層、有機功能層和陰極層,所述有機功能層包括在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層,其特征在于:在所述陰極層外表面還層疊結(jié)合有依次交替層疊設(shè)置的有機物阻擋層和無機物阻擋層,所述無機物阻擋層材料包括互相摻雜的氟化物、硫化物和氧化物;其中,所述氟化物占無機物阻擋層材料摩爾百分數(shù)的10%~30%,所述氧化物占無機物阻擋層材料摩爾百分數(shù)的10%~30%;且所述氟化物為LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2,所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS或NiS,所述氧化物為TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機物阻擋層材料包括有機材料和氧化物,所述氧化物占所述有機物阻擋層材料的摩爾百分數(shù)為30%~50%。
3.如權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述氧化物為MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2。
4.如權(quán)利要求2或3所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機材料為1,1-二((4-N,N’-二(對甲苯基)胺)苯基)環(huán)己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4,7-二苯基-1,10-鄰菲羅啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1~3任一項所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機物阻擋層的厚度為200nm~300nm,所述無機物阻擋層的厚度為100nm~200nm。
6.如權(quán)利要求1~3任一項所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機物阻擋層和無機物阻擋層的交替層疊的次數(shù)為4~6次。
7.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法,包括如下步驟:
在真空鍍膜系統(tǒng)中,將所述有機物阻擋層材料蒸鍍在陰極層外表面制作有機物功能層;
在真空鍍膜系統(tǒng)中,將所述無機物阻擋層材料摻雜共蒸在所述有機功能層外表面制作無機所述阻擋層;
依次在所述無機物阻擋層外表面進行重復(fù)制備所述有機功能層和無機物阻擋層的步驟;
其中,在制備所述無機物阻擋層步驟中的所述無機物阻擋層材料包括互相摻雜的氟化物、硫化物和氧化物,所述氟化物占無機物阻擋層材料摩爾百分數(shù)的10%~30%,所述氧化物占無機物阻擋層材料摩爾百分數(shù)的10%~30%;且所述氟化物為LiF、CeF2、MgF2、AlF3、CaF2或BaF2,所述硫化物為CdS、PbS、FeS2、CuS、ZnS或NiS,所述氧化物為TiO2、MgO、SiO2、ZrO2、ZnO或Al2O3。
8.如權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:在制備所述有機物功能層和/或無機物阻擋層的步驟中,所述蒸鍍時的真空度為1×10-5Pa~1×10-3Pa,所述有機物阻擋層材料蒸發(fā)速度為
9.如權(quán)利要求7或8所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述有機物阻擋層材料包括有機材料和氧化物,所述氧化物占所述有機物阻擋層材料的摩爾百分數(shù)為30%~50%。
10.如權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于:所述氧化物為MoO3、V2O5、WO3、Cs2O、Ni2O或MnO2。
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H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





