[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201310072970.8
• 申請日: 2013-03-07
• 公開（公告）號: CN103311264A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 李宰圭;高升必;金容準;金恩靚
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種半導體器件，包括：

第一半導體層，在基板上且在第一方向上延伸，所述第一半導體層具有第一導電類型；

多個第二半導體層，在所述第一半導體層上且在所述第一方向上間隔開，所述多個第二半導體層具有第二導電類型；以及

絕緣層結構，圍繞所述第一半導體層的側壁和所述多個第二半導體層的側壁。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層和所述多個第二半導體層具有與所述基板相同的晶向。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層的側壁具有斜面。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度小于或等于30nm。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個第二半導體層的每一個在垂直于所述第一方向的第二方向上的寬度小于或等于30nm。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層的下部寬度大于所述第一半導體層的上部寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層的第一上部表面高于所述第一半導體層的第二上部表面，其中所述多個第二半導體層形成在所述第一上部表面上，所述多個第二半導體層沒有形成在所述第二上部表面上。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中其上形成所述多個第二半導體層的所述第一半導體層的高度大于其上沒有形成所述多個第二半導體層的所述第一半導體層的高度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一半導體層包括在一端接觸所述基板的至少一個小面，所述至少一個小面從所述基板的上表面以一角度傾斜。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

界面層，在所述第一半導體層和所述絕緣層結構的界面上以及在所述多個第二半導體層和所述絕緣層結構的界面上。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述界面層是熱氧化物層。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述絕緣層結構包括：

第一絕緣層，填充第一溝槽且在所述第一方向上延伸，所述第一溝槽由所述基板的上表面以及所述第一半導體層的側壁和所述多個第二半導體層的側壁限定；以及

第二絕緣層，填充第二溝槽且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第二溝槽由所述第一半導體層沒有被所述多個第二半導體層覆蓋的上表面和所述多個第二半導體層的側壁限定。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一半導體層為多個第一半導體層，

所述絕緣層結構的底部在所述多個第一半導體層中的相鄰的半導體層之間在所述第一方向上延伸，并且

所述絕緣層結構的上部具有在所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上連接的網格形狀。

14.一種半導體器件，包括：

基板，包括單元區域和周邊電路區域；

多個柵極結構，在所述周邊電路區域中的所述基板上；

阻擋絕緣層，覆蓋所述周邊電路區域中的所述基板上的所述多個柵極結構；

多個第一半導體層，在所述單元區域中的所述基板上；

多個第二半導體層，在所述多個第一半導體層上；

多個相變存儲單元，在所述多個第二半導體層上，所述多個相變存儲單元的每一個包括下電極、相變材料層圖案和上電極；以及

絕緣層結構，圍繞所述多個第一半導體層的側壁和所述多個第二半導體層的側壁。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中

所述多個第一半導體層具有與所述基板相同的晶向，并且

所述多個第一半導體層的第一上部表面高于所述多個第一半導體層的第二上部表面，其中所述多個第二半導體層形成在所述第一上部表面上，所述多個第二半導體層沒有形成在所述第二上部表面上。

16.一種半導體器件，包括：

多個第一導電結構，在基板上在第一方向上延伸；以及

多個第二導電結構，在所述多個第一導電結構上，在第二方向上延伸且在所述第一方向上間隔開，

其中所述多個第一導電結構和所述多個第二導電結構包括單晶半導體層。