[發明專利]玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造裝置

有效

• 申請號: 201310072562.2
• 申請日: 2013-03-07
• 公開（公告）號: CN103508657A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 比田井忠和
• 申請（專利權）人: 安瀚視特控股株式會社
• 主分類號: C03B17/06
• 分類號: C03B17/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;張志楠

【技術領域】

本發明涉及玻璃基板的制造方法和玻璃基板的制造裝置。

【背景技術】

作為在液晶顯示屏或等離子體顯示屏等平板顯示屏(下文稱為FPD)中應用的玻璃基板的制造方法，已知有溢流下拉法。在溢流下拉法中，通過在成形爐中使熔融玻璃從熔融玻璃成形體的上部溢出而由熔融玻璃成形為平板玻璃，將成形后的平板玻璃緩慢冷卻，將其切斷。之后，按照客戶的規格將切斷后的平板玻璃再切斷成規定的尺寸，進行清洗、端面研磨等，作為FPD用玻璃基板進行裝運。

FPD用玻璃基板之中、特別是液晶顯示裝置用玻璃基板或有機EL顯示裝置用玻璃基板中，在其表面形成半導體元件，因而優選完全不含有容易對半導體元件的特性產生影響的堿金屬成分、或者即使含有也是不會對半導體元件等產生影響的程度的微量。

另外，若玻璃基板中存在氣泡，則其成為顯示缺陷的原因，因而有氣泡存在的玻璃基板無法作為FPD用玻璃基板來使用。因此，要求在玻璃基板中無氣泡殘留。

另外，若在玻璃基板中存在玻璃組成的不均(玻璃組成不均勻)，則會產生例如被稱為波筋的條紋狀缺陷。該波筋是由于玻璃組成的不均質而導致的熔融玻璃的粘度不同，而在成形時的熔融玻璃的表面產生微細的表面凹凸，該表面凹凸也殘存在玻璃基板中。因此，將該玻璃基板作為液晶面板用的玻璃基板組裝到液晶面板中時，盒的間隙(cell?gap)會出現誤差或者引起顯示不均。因此，在玻璃基板的制造階段需要使之不會引起波筋等玻璃組成的不均。

在制造上述那樣的玻璃基板時，一般使用投入玻璃原料并使之熔解來制造熔融玻璃的熔解槽。在該熔解槽中與熔融玻璃相接觸地設有電極對。通過在電極對上施加電壓使電流流過處于該電極對之間的熔融玻璃，對熔融玻璃進行通電加熱，使其為所望的溫度。

作為這樣的通電加熱的一例，在使用2個以上電極對的熔解槽(玻璃熔融爐)中高頻通電加熱是眾所周知的。例如，在下述專利文獻1中，各電極對分別與各自的電源連接，且各電源被分別控制，由此，兩對以上電極中，每一電極分別受到控制。在使用這樣的通電加熱的熔解槽中，為了使熔融玻璃的粘度、對流呈所期望的狀態，例如如下述專利文獻2中所記載，以往利用熱電偶對熔融玻璃的溫度進行測定。

【現有技術文獻】

【專利文獻】

專利文獻1：日本特開平04-367519號公報

專利文獻2：日本特開平03-103328號公報

【發明內容】

【發明所要解決的課題】

但是，上述熱電偶在例如熔解槽內被暴露于高溫中，因而在較短時間內發生劣化，無法精確測定溫度。并且，從使玻璃原料熔解的裝置結構的方面考慮，可設置熱電偶的位置是有限的，因而可通過熱電偶進行溫度測定的位置有限。

另外，如上所述，由于在FPD用玻璃基板中使用的是完全不含有會降低高溫粘性的堿金屬成分、或者即使含有也為微量的玻璃，因而為了將熔融玻璃的粘性維持在與以往同等的程度，必然需要提高熔融玻璃的溫度。如此，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解溫度高于以往，因而具有熱電偶容易劣化、無法精確獲取溫度的問題。

另外，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解溫度高于以往，因而希望對熔融玻璃進行通電加熱使其高效率地達到高溫。

另外，在FPD用玻璃基板中，在玻璃板上形成有TFT(薄膜晶體管，Thin?Film?Transistor)等半導體元件。近年來，為了實現顯示屏表示進一步的高精細化，要求替代一直以來使用的α-Si·TFT而在玻璃基板上形成p-Si(低溫多晶硅)·TFT或氧化物半導體。p-Si(低溫多晶硅)·TFT例如在液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置中使用。

在p-Si·TFT或氧化物半導體的形成工序中存在熱處理工序，熱處理工序的溫度高于α-Si·TFT的形成工序。因此，形成p-Si(低溫多晶硅)TFT或氧化物半導體的玻璃基板要求熱收縮率小。為了減小熱收縮率，優選使玻璃的應變點增高，但對于應變點(歪點)高的玻璃來說，通常其熔融性降低，因而需要使熔解槽中熔融玻璃的溫度更進一步高于以往。

如此，由于熔解槽中熔融玻璃的熔解溫度高于以往，因而具有熱電偶容易劣化、無法精確獲取溫度的問題。

由于熔解槽中熔融玻璃的熔解溫度高于以往，因而為了對熔融玻璃進行通電加熱使其高效率地達到高溫，希望供給至電極的電力也可效率良好地被使用。