[發明專利]有機發光顯示設備以及制造有機發光顯示設備的方法

有效

• 申請號: 201310071417.2
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103579284B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 瓦列里·普魯申斯基;金旻首;玄元植;羅興烈;表相佑
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司11018
• 代理人: 李文穎,周艷玲

1.一種有機發光顯示設備，包括：

第一基板；

設置在所述第一基板上的第一電極；

設置在所述第一電極和所述第一基板上以限定顯示區域和非顯示區域的像素限定層，所述像素限定層包括在所述顯示區域中暴露所述第一電極的開口、以及定位在所述顯示區域和所述非顯示區域中并使空氣或氣體能夠從所述開口排出的細微凹凸結構；

設置在所述第一電極上的有機發光結構；

設置在所述有機發光結構和所述像素限定層上的第二電極；以及

設置在所述第二電極上的第二基板。

2.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，所述第一電極和所述第二電極中的每一個包括具有反射性的材料和具有透射性的材料中的一種。

3.如權利要求2所述的有機發光顯示設備，所述第一電極包括從鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)及其合金中選擇的至少一種，并且所述第二電極包括從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵氧化物(IGO)、鋅氧化物(ZnOx)、鎵氧化物(GaOx)和錫氧化物(SnOx)中選擇的一種。

4.如權利要求2所述的有機發光顯示設備，所述第一電極包括從銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵氧化物(IGO)、鋅氧化物(ZnOx)、鎵氧化物(GaOx)和錫氧化物(SnOx)中選擇的一種，并且所述第二電極包括從鋁(Al)、銀(Ag)、鉑(Pt)、金(Au)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、銥(Ir)及其合金中選擇的至少一種。

5.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，所述細微凹凸結構被定位在所述開口的側壁上以及所述非顯示區域中的所述像素限定層上。

6.如權利要求5所述的有機發光顯示設備，所述細微凹凸結構包括多個溝和多個槽中的一種，并且所述多個溝和所述多個槽中的所述一種沿預定方向被布置。

7.如權利要求5所述的有機發光顯示設備，所述細微凹凸結構包括多個溝、多個槽和多個凹痕中的一種，所述多個溝、所述多個槽和所述多個凹痕中的所述一種沿多個方向被布置。

8.如權利要求7所述的有機發光顯示設備，所述多個溝、所述多個槽和所述多個凹痕中的一種彼此部分或全部連通。

9.如權利要求5所述的有機發光顯示設備，所述像素限定層包括有機材料和無機材料中的一種。

10.如權利要求9所述的有機發光顯示設備，所述像素限定層包括苯并環丁烯(BCB)、光致抗蝕劑、苯酚基樹脂、聚丙烯基樹脂、聚酰亞胺基樹脂、丙烯基樹脂、硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)、硅氮氧化物(SiO_xN_y)和硅碳氧化物(SiO_xC_y)中的一種。

11.一種制造有機發光顯示設備的方法，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板上形成第一電極；

在所述第一電極和所述第一基板上形成像素限定層，所述像素限定層限定顯示區域和非顯示區域；

形成在所述顯示區域中暴露所述第一電極的開口；

在所述像素限定層中形成細微凹凸結構，所述細微凹凸結構被設置在所述顯示區域和所述非顯示區域中并使空氣或氣體能夠從所述開口排出；

在所述第一電極上形成有機發光結構；

在所述有機發光結構和所述像素限定層上形成第二電極；以及

在所述第二電極上形成第二基板。

12.如權利要求11所述的方法，進一步包括在所述第一基板與所述第一電極之間形成具有開關設備和絕緣層的底層結構。

13.如權利要求11所述的方法，通過部分蝕刻所述像素限定層來實現形成在所述顯示區域中暴露所述第一電極的開口的步驟。

14.如權利要求11所述的方法，所述細微凹凸結構被形成在所述開口的側壁上以及所述非顯示區域中的所述像素限定層上。

15.如權利要求11所述的方法，形成所述細微凹凸結構的步驟包括使具有沿預定方向布置的刷毛的輥與所述像素限定層接觸同時移動所述第一基板。