[發(fā)明專利]晶片對準(zhǔn)裝置和方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310071226.6
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103311168A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔丞佑;樸慶善
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 魯恭誠;金光軍

1.一種晶片對準(zhǔn)裝置，包括：

第一晶片保持器和第二晶片保持器，被構(gòu)造成分別支撐第一晶片和第二晶片；

保持器運(yùn)動單元，被構(gòu)造成使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一個(gè)運(yùn)動，從而使第一晶片和第二晶片彼此預(yù)對準(zhǔn)并彼此面對；

一個(gè)或更多個(gè)觀測單元，相對于預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片沿水平方向布置，并被構(gòu)造成在第一晶片和第二晶片通過保持器運(yùn)動單元彼此預(yù)對準(zhǔn)的狀態(tài)下觀測第一晶片和第二晶片的邊緣部分；以及

控制單元，被構(gòu)造成基于由所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元觀測到的信息控制保持器運(yùn)動單元，以當(dāng)?shù)谝痪偷诙倪吘壊糠衷谄谕膶?zhǔn)狀態(tài)之外時(shí)使第一晶片和第二晶片再對準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元包括顯微鏡。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元為多個(gè)觀測單元，

所述多個(gè)觀測單元被構(gòu)造成在不同的位置觀測第一晶片和第二晶片的邊緣部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，所述多個(gè)觀測單元關(guān)于預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片對稱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元被構(gòu)造成觀測位于所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元與預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片的輪廓線之間的相切處的觀測點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，由所述控制單元控制的保持器運(yùn)動單元被構(gòu)造成使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一個(gè)沿XYθ方向運(yùn)動。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，第一晶片和第二晶片具有相同的形狀和面積，

所述期望的對準(zhǔn)狀態(tài)是第一晶片和第二晶片的邊緣部分的截面位于一條直線上的狀態(tài)。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片對準(zhǔn)裝置，其中，第一晶片和第二晶片的形狀和面積中的至少一個(gè)不同，

所述期望的對準(zhǔn)狀態(tài)是第一晶片和第二晶片的邊緣部分的截面在通過所述多個(gè)觀測單元觀測到的第一晶片和第二晶片的邊緣部分處同等地偏離的狀態(tài)。

9.一種晶片對準(zhǔn)方法，包括下述步驟：

將第一晶片和第二晶片分別布置在第一晶片保持器和第二晶片保持器上；

通過使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一個(gè)運(yùn)動而使第一晶片和第二晶片彼此預(yù)對準(zhǔn)以彼此面對；

通過使用一個(gè)或更多個(gè)觀測單元來觀測第一晶片和第二晶片的邊緣部分，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元相對于預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片沿水平方向布置；以及

當(dāng)通過所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元觀測到的第一晶片和第二晶片的邊緣部分在期望的對準(zhǔn)狀態(tài)之外時(shí)，使第一晶片和第二晶片彼此再對準(zhǔn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元包括顯微鏡。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元為多個(gè)觀測單元，

所述多個(gè)觀測單元被構(gòu)造成在不同的位置觀測第一晶片和第二晶片的邊緣部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述多個(gè)觀測單元被設(shè)置成關(guān)于預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片對稱。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元被構(gòu)造成觀測位于所述一個(gè)或更多個(gè)觀測單元與預(yù)對準(zhǔn)的第一晶片和第二晶片的輪廓線之間的相切處的觀測點(diǎn)。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，使第一晶片和第二晶片彼此再對準(zhǔn)的步驟包括使第一晶片保持器和第二晶片保持器中的至少一個(gè)沿XYθ方向運(yùn)動。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一晶片和第二晶片具有相同的形狀和面積，

所述期望的對準(zhǔn)狀態(tài)是第一晶片和第二晶片的邊緣部分的截面位于一條直線上的狀態(tài)。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，第一晶片和第二晶片的形狀和面積中的至少一個(gè)不同，

所述期望的對準(zhǔn)狀態(tài)是第一晶片和第二晶片的邊緣部分的截面在通過所述多個(gè)觀測單元觀測到的第一晶片和第二晶片的邊緣部分處同等地偏離的狀態(tài)。