[發明專利]監控裝置、監控方法及氣相沉積設備無效
| 申請號: | 201310071206.9 | 申請日: | 2013-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN103114279A | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 喬徽;寧海濤;譚華強 | 申請(專利權)人: | 光達光電設備科技(嘉興)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 楊林;李友佳 |
| 地址: | 314300 浙江省海鹽*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 監控 裝置 方法 沉積 設備 | ||
1.一種監控裝置,用于監控氣相沉積設備中的加熱單元,所述加熱單元利用電阻絲進行加熱,其特征在于,該監控裝置包括:
檢測單元,用于獲得所述加熱單元的實時電阻值;
比較單元,用于獲得所述實時電阻值與參考電阻值的比較結果;
報警單元,用于根據所述比較結果,判斷是否發出報警信號。
2.根據權利要求1所述的監控裝置,其特征在于,所述加熱單元包括若干個子加熱單元,所述若干個子加熱單元對設置于所述加熱單元上方的被加熱單元的若干個受熱區域分別對應進行加熱;所述檢測單元包括若干個子檢測單元,每一個所述子檢測單元檢測其對應的子加熱單元的電流值和電壓值,根據所述電流值和所述電壓值獲得該子加熱單元的實時電阻值;所述比較單元包括若干個子比較單元,每一個所述子比較單元比較其對應的子加熱單元的實時電阻值與該子加熱單元對應的參考電阻值并得到電阻差值,比較所述電阻差值與所述參考電阻值的比值得到實時比值,比較所述實時比值與參考比值得到所述比較結果。
3.根據權利要求1所述的監控裝置,其特征在于,所述加熱單元包括若干個子加熱單元,所述若干個子加熱單元對設置于所述加熱單元上方的被加熱單元的若干個受熱區域分別對應進行加熱;所述檢測單元包括若干個子檢測單元,每一個所述子檢測單元檢測其對應的子加熱單元的電流值和電壓值,根據所述電流值和所述電壓值獲得該子加熱單元的實時電阻值;所述比較單元比較每一個子加熱單元的實時電阻值與該子加熱單元對應的參考電阻值并得到該子加熱單元的電阻差值,比較所述電阻差值與所述參考電阻的比值得到實時比值,比較所述實時比值與參考比值得到所述比較結果。
4.根據權利要求2或3所述的監控裝置,其特征在于,所述參考比值為0.1~0.3。
5.根據權利要求4所述的監控裝置,其特征在于,當所述實時電阻值大于所述參考電阻值,并且所述實時比值大于或等于所述參考比值時,所述報警單元判斷為所述子加熱單元為斷路并發出斷路報警信號;當所述實時電阻值小于所述參考電阻值,并且所述實時比值大于或等于所述參考比值時,所述報警單元判斷為所述子加熱單元為短路并發出短路報警信號。
6.根據權利要求2或3所述的監控裝置,其特征在于,所述若干個子加熱單元的加熱功率相互獨立調節。
7.一種氣相沉積設備,包括工藝腔室、被加熱單元和加熱單元,所述加熱單元設置于所述被加熱單元下方,在進行氣相沉積工藝時,所述加熱單元對所述被加熱單元進行加熱,其特征在于,所述氣相沉積設備還包括權利要求1至6任一項所述的監控裝置,所述監控裝置用于監控所述加熱單元。
8.一種氣相沉積設備中利用電阻絲進行加熱的加熱單元的監控方法,其特征在于,包括步驟:
a)檢測所述加熱單元的電流值和電壓值并根據所述電流值和所述電壓值獲得所述加熱單元的實時電阻值;
b)比較所述實時電阻值與參考電阻值并得到電阻差值;
c)比較所述電阻差值與所述參考電阻值的比值得到實時比值;
d)比較所述實時比值與參考比值得到比較結果;
e)根據所述比較結果,判斷是否發出報警信號。
9.根據權利要求8所述的監控方法,其特征在于,所述加熱單元包括若干個子加熱單元,所述若干個子加熱單元對設置于所述加熱單元上方的被加熱單元的若干個受熱區域分別對應進行加熱;所述檢測單元包括若干個子檢測單元,每一個所述子檢測單元檢測其對應的子加熱單元的電流值和電壓值,根據所述電流值和所述電壓值獲得該子加熱單元的實時電阻值;所述比較單元包括若干個子比較單元,每一個所述子比較單元比較其對應的子加熱單元的實時電阻值與該子加熱單元對應的參考電阻值并得到電阻差值,比較所述電阻差值與所述參考電阻值的比值得到實時比值,比較所述實時比值與參考比值得到所述比較結果。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





