[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310070471.5
• 申請(qǐng)日: 2013-03-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103681626A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崎山陽(yáng)子;森塚宏平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L23/552
• 分類號(hào): H01L23/552
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

關(guān)聯(lián)申請(qǐng)

本申請(qǐng)基于2012年9月20日提交的在先日本專利申請(qǐng)第2012-206800號(hào)，并要求其優(yōu)先權(quán)，在此作為參照并入其全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

以前，在半導(dǎo)體器件中，有并聯(lián)連接了多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件。在該現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件中，例如，在模塊柵極布線的分支點(diǎn)和各IGBT元件的柵極焊盤(pán)之間的布線中插入鐵氧體磁芯。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供能降低EMI（Electro?Magnetic?Interference）噪聲的半導(dǎo)體器件。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件具備絕緣基板。半導(dǎo)體器件具備設(shè)在上述絕緣基板上、且具有平板狀的形狀的第1電極。半導(dǎo)體器件具備設(shè)在上述絕緣基板上、且具有平板狀的形狀的第2電極。半導(dǎo)體器件具備設(shè)在上述絕緣基板上、且具有平板狀的形狀的第3電極。半導(dǎo)體器件具備設(shè)在上述第1電極上、且發(fā)射極或集電極的任一方電連接到上述第1電極上的第1開(kāi)關(guān)元件。半導(dǎo)體器件具備將上述第1開(kāi)關(guān)元件的發(fā)射極或集電極的余下的另一方電連接到上述第3電極上的第1連接布線。半導(dǎo)體器件具備設(shè)在上述第2電極上、且發(fā)射極或集電極的任一方電連接到上述第2電極上的第2開(kāi)關(guān)元件。半導(dǎo)體器件具備以上述第2開(kāi)關(guān)元件與上述第1開(kāi)關(guān)元件并聯(lián)連接的方式，將上述第2開(kāi)關(guān)元件的發(fā)射極或集電極的余下的另一方電連接到上述第3電極上的第2連接布線。半導(dǎo)體器件具備電連接到上述第1開(kāi)關(guān)元件的柵極上的第1柵極布線。半導(dǎo)體器件具備電連接到上述第2開(kāi)關(guān)元件的柵極上的第2柵極布線。半導(dǎo)體器件具備與上述第1電極及上述第2電極電連接的第3連接布線。半導(dǎo)體器件具備與上述第3電極電連接的第4連接布線。半導(dǎo)體器件具備包含吸收高頻電磁波的材料的多個(gè)第1平板。半導(dǎo)體器件具備密封樹(shù)脂，該密封樹(shù)脂在上述散熱板上至少對(duì)上述絕緣基板、上述第1至第3電極、上述第1及第2開(kāi)關(guān)元件、上述第1及第2柵極布線、上述第1至第4連接及上述第1平板進(jìn)行密封。

上述第1平板之中的任一個(gè)配置在上述第1連接布線及上述第2連接布線的上方。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供能降低EMI噪聲的半導(dǎo)體器件。

附圖說(shuō)明

圖1是示出第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體器件100的構(gòu)成的一個(gè)例子的平面圖。

圖2是示出沿著圖1的X－X線的半導(dǎo)體器件100的截面的一個(gè)例子的截面圖。

圖3是示出圖1所示的半導(dǎo)體器件100的電路構(gòu)成的一個(gè)例子的電路圖。

具體實(shí)施方式

以下，根據(jù)附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。并且，在實(shí)施方式中，對(duì)選擇了IGBT元件作為開(kāi)關(guān)元件的一個(gè)例子的情況進(jìn)行說(shuō)明，但也可以是MOS晶體管等其它電壓控制型的開(kāi)關(guān)元件。

（第1實(shí)施方式）

圖1是示出第1實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體器件100的構(gòu)成的一個(gè)例子的平面圖。而且，圖2是示出沿著圖1的X－X線的半導(dǎo)體器件100的截面的一個(gè)例子的截面圖。而且，圖3是示出圖1所示的半導(dǎo)體器件100的電路構(gòu)成的一個(gè)例子的電路圖。

如圖1～圖3所示，半導(dǎo)體器件100具備散熱板1、框體2、導(dǎo)電性膜3、絕緣基板4、密封樹(shù)脂5、第1電極PE1、第2電極PE2、第3電極PE3、第1IGBT元件（第1開(kāi)關(guān)元件）T1、第2IGBT元件（第2開(kāi)關(guān)元件）T2、第1連接布線CL1、第2連接布線CL2、第3連接布線CL3、第4連接布線CL4、第5連接布線CL5、第6連接布線CL6、第1柵極布線GL1、第2柵極布線GL2、第1二極管D1、第2二極管D2、多個(gè)第1平板S1、多個(gè)第2平板S2、布線基板LS、第1外部端子（柵極端子）GT、第2外部端子（集電極端子）CT、第3外部端子（發(fā)射極端子）ET、第4外部端子（發(fā)射極感應(yīng)端子）EST。

框體2在散熱板1上設(shè)置成包圍密封樹(shù)脂5，由樹(shù)脂材料構(gòu)成。

密封樹(shù)脂5在散熱板1上，至少對(duì)絕緣基板4、第1到第3電極PE1～PE3、第1及第2IGBT元件T1、T2、第1及第2二極管D1、D2、第1及第2柵極布線GL1、GL2、布線基板LS、第1到第6連接布線CL1～CL6、及第1平板S1進(jìn)行密封。

第1外部端子GT設(shè)置成從密封樹(shù)脂5露出（圖1、圖2）。該第1外部端子GT經(jīng)由布線基板LS與第1柵極布線GL1及第2柵極布線GL2（第1、第2IGBT元件T1、T2的柵極）電連接（圖2、圖3）。