[發明專利]半導體器件的制造方法和半導體器件的制造裝置

無效

• 申請號: 201310070450.3
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103311151A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 山下大輔
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高科

技術領域

本實施方式涉及半導體器件的制造方法和半導體器件的制造裝置。

背景技術

在半導體襯底(以下，稱為晶片）上形成縱長型半導體器件時，進行晶片背面的研削、研磨等，減薄晶片。然后，對該減薄了的晶片背面進行各種工藝處理(例如，形成背面電極）。

在減薄晶片的工藝中，在晶片表面側貼附表面保護帶(以下，稱為BSG帶）之后，進行晶片背面的研削、研磨等，減薄晶片。需要在晶片減薄后剝離該BSG帶。

以往，在該剝離時，以晶片的背面為下側地載置到吸附工作臺上，在貼附在晶片表面上的BSG帶上壓接剝離帶，通過從晶片表面一體地除去BSG帶和剝離帶，把BSG帶剝離。

但是，在現有的剝離方法中，由于以晶片背面為下側地載置到吸附工作臺上，所以有在晶片背面附著微粒(灰塵）或污染物(例如，有機物、金屬）、因機械的接觸對晶片造成損傷等的可能。

在晶片背面上附著微粒時，有通過濺射法形成的背面電極剝離、或在光刻工序中在涂敷或曝光光刻膠時發生異常的可能。而且，在離子注入工序中，在注入雜質離子時有微粒成為離子的遮蔽物(阻擋材料），產生未注入雜質離子的區域的可能。

另外，在污染物附著在晶片上時，在擴散工序(例如，熱擴散、激光退火）中，有半導體器件的溝道的傳導類型反轉、或載流子壽命在額定值以外的可能。而且，因機械的接觸對晶片造成了損傷時，有在晶片上產生破裂和缺口，不能對晶片背面進行工藝處理的可能。

發明內容

需要無須接觸晶片背面就可以剝離貼附的保護帶的方法。

根據實施方式的半導體器件的制造方法，包括：把隔著支撐襯底地貼附了保護帶的半導體襯底以上述保護帶為下側地載置到載置了以粘接面為上側的剝離帶的工作臺上的工序；在將上述半導體襯底以上述保護帶為下側地載置到上述剝離帶的粘接面上的狀態下，進行減壓而把上述剝離帶貼附到上述保護帶上的工序；在把上述剝離帶貼附到上述保護帶上的狀態下，朝上述工作臺的下側牽引上述剝離帶，剝離上述保護帶的工序；以及支撐因上述牽引而從上述保護帶露出了的上述支撐襯底面的工序。

根據另一實施方式的半導體器件的制造方法，包括：把貼附了保護帶的半導體襯底以上述保護帶為下側地載置到載置了以粘接面為上側的剝離帶的工作臺上的工序；把上述剝離帶貼附到上述保護帶上的工序；在把上述剝離帶貼附到上述保護帶上的狀態下，朝上述工作臺的下側牽引上述剝離帶，剝離上述保護帶的工序；以及支撐因上述牽引而從上述工作臺突出了的上述半導體襯底的工序。

根據又一實施方式的半導體器件的制造裝置，包括：載置了以粘接面為上側的剝離帶的工作臺；把貼附了保護帶的半導體襯底以上述保護帶為下側地載置到上述工作臺上的載置部；在把上述剝離帶貼附到上述保護帶上的狀態下，朝上述工作臺的下側牽引上述剝離帶，剝離上述保護帶的剝離部；以及支撐因上述牽引而從上述工作臺突出了的上述半導體襯底的支撐部。

附圖說明

圖1是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的結構的平面圖。

圖2是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的結構的剖視圖。

圖3是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖4是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖5是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖6是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖7是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖8是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖9是示出根據實施方式1的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖10是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的結構的平面圖。

圖11是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的結構的剖視圖。

圖12是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖13是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖14是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖15是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖16是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。

圖17是示出根據實施方式2的半導體器件的制造裝置的動作的剖視圖。