[發(fā)明專利]固體拍攝裝置的制造方法及固體拍攝裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310070311.0
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103681705A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藤井修
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 陳海紅;楊光軍

1.一種固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體基板的光電轉(zhuǎn)換元件形成區(qū)域、浮置擴散區(qū)形成區(qū)域以及所述光電轉(zhuǎn)換元件形成區(qū)域和所述浮置擴散區(qū)形成區(qū)域之間的讀取晶體管形成區(qū)域內(nèi)，分別形成光電轉(zhuǎn)換元件、包含于浮置擴散區(qū)內(nèi)的擴散層以及讀取晶體管；

在所述半導(dǎo)體基板的第一面?zhèn)龋谒鰯U散層上形成含有第一雜質(zhì)的半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：在形成所述半導(dǎo)體層后，進行加熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

通過所述加熱處理，所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的金屬雜質(zhì)在所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)移動。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

在所述加熱處理后，所述浮置擴散區(qū)形成區(qū)域內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度比所述光電轉(zhuǎn)換元件形成區(qū)域內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度高。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度比所述擴散層內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度高。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：在所述加熱處理后，除去所述第一半導(dǎo)體層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：在所述第一半導(dǎo)體層的除去時，將所述擴散層和所述第一半導(dǎo)體層的邊界的含有金屬雜質(zhì)的摻雜區(qū)域除去，使所述擴散層的上表面后退到所述半導(dǎo)體基板的與第一面相對的第二面?zhèn)取?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：

在所述讀取晶體管的柵電極及所述第一半導(dǎo)體層上，形成硅化物層，

隔著所述硅化物層，分別形成與包含所述第一半導(dǎo)體層及所述擴散層的所述浮置擴散區(qū)連接的接觸部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：

在與所述浮置擴散區(qū)形成區(qū)域相鄰的第一區(qū)域內(nèi)，與所述讀取晶體管的形成同時地形成第一晶體管，

在所述第一晶體管的源電極/漏電極擴散層上，與所述第一半導(dǎo)體層同時形成含有與所述第一半導(dǎo)體層相同材料的第二半導(dǎo)體層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：在形成所述第一半導(dǎo)體層后，在所述半導(dǎo)體基板的所述第一面上，形成層間絕緣膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層包括由所述第一雜質(zhì)生成的捕獲部。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層由含有磷、鍺及碳中至少一種來作為所述第一雜質(zhì)的硅層形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體拍攝裝置的制造方法，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層通過外延生長而形成，作為捕獲部的結(jié)晶缺陷形成于所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)。

14.一種固體拍攝裝置，其特征在于，

包括：

光電轉(zhuǎn)換元件，其設(shè)置于半導(dǎo)體基板內(nèi)，且將入射的光轉(zhuǎn)換為電荷；

浮置擴散區(qū)，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板內(nèi)，且傳輸所述電荷；和

讀取晶體管，其在所述半導(dǎo)體基板內(nèi)設(shè)置于所述浮置擴散區(qū)和所述光電轉(zhuǎn)換元件之間，且控制所述電荷的傳輸，

其中，所述浮置擴散區(qū)包括設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的擴散層和設(shè)置于所述擴散層上且含有第一雜質(zhì)的第一半導(dǎo)體層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

所述浮置擴散區(qū)含有金屬雜質(zhì)，

所述浮置擴散區(qū)內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度比所述光電轉(zhuǎn)換元件內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度高。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的固體拍攝裝置，其特征在于，

所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度比所述擴散層內(nèi)的金屬雜質(zhì)的濃度高。