[發明專利]支撐基板、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置的檢查方法

無效

• 申請號: 201310070023.5
• 申請日: 2013-03-06
• 公開（公告）號: CN103325719A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 江崎朗
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/304;H01L21/66
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 崔成哲

1.一種支撐基板，其特征在于，具有：

第1支持基板，其外徑比半導體基板的直徑大，內徑比所述半導體基板的直徑小；以及

第2支持基板，其外徑為所述第1支持基板的內徑以下。

2.如權利要求1所述的支撐基板，其特征在于，

所述第1支持基板的內徑比所述半導體基板的直徑小2～6mm。

3.如權利要求1所述的支撐基板，其特征在于，

在所述第2支持基板形成有從表面貫穿到背面的多個貫穿孔。

4.如權利要求1所述的支撐基板，其特征在于，

所述第1支持基板與第2支持基板的材質和厚度相同。

5.如權利要求1所述的支撐基板，其特征在于，

所述第1、第2支持基板是從同一塊板切下而形成的。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

在形成有半導體裝置的半導體基板的表面粘貼第1支持基板和第2支持基板的工序，其中，第1支持基板的外徑比所述半導體基板的直徑大，內徑比所述半導體基板的直徑小，第2支持基板的外徑為所述第1支持基板的內徑以下；

對所述半導體基板的背面進行磨削，薄化所述半導體基板的工序；

從所述半導體基板的表面剝離所述第2支持基板的工序；

檢查所述半導體裝置的電特性的工序；

在所述半導體基板的背面粘貼切割薄片的工序；

從所述半導體基板的表面剝離所述第1支持基板的工序；以及

切割所述半導體基板而將所述半導體裝置分為單片的工序。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在檢查所述半導體裝置的所述電特性的所述工序中，使電特性檢查裝置的探針接觸所述半導體基板的露出的表面，使所述電特性檢查裝置的測試臺接觸所述半導體基板的背面，測定所述半導體裝置的電特性。

8.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在剝離所述第2支持基板的所述工序中，

向所述第1支持基板內供給剝離液而剝離所述第2支持基板。

9.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還具有:

在將所述第1支持基板和所述第2支持基板粘貼在所述半導體基板的所述表面的所述工序之后，在所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的表面分別粘貼表面保護帶的工序；以及

在薄化所述半導體基板的所述工序之后，從所述第1支持基板的所述表面和所述第2支持基板的所述表面剝離所述表面保護帶的工序。

10.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在剝離所述表面保護帶的所述工序中，

在吸附了所述第1支持基板的背面的狀態下，從所述第1支持基板的表面和所述第2支持基板的所述表面剝離所述表面保護帶。

11.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第1支持基板的內徑比所述半導體基板的直徑小2～6mm。

12.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第2支持基板形成有從表面貫穿到背面的多個貫穿孔。

13.一種半導體裝置的檢查方法，其特征在于，具有：

在形成有半導體裝置的半導體基板的表面粘貼第1支持基板和第2支持基板的工序，其中，第1支持基板的外徑比所述半導體基板的直徑大，內徑比所述半導體基板的直徑小，第2支持基板的外徑為所述第1支持基板的內徑以下；

對所述半導體基板的背面進行磨削，薄化所述半導體基板的工序；

從所述半導體基板的表面剝離所述第2支持基板的工序；以及

測定所述半導體裝置的電特性的工序。

14.如權利要求13所述的半導體裝置的檢查方法，其特征在于，

在測定所述半導體裝置的電特性的所述工序中，

使電特性檢查裝置的探針接觸所述半導體基板的露出的表面，使所述電特性檢查裝置的測試臺接觸所述半導體基板的背面，測定所述半導體裝置的電特性。