[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310069494.4
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN103855126B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發明（設計）人: 陳憲偉;吳念芳;郭鴻毅;陳潔;陳英儒;于宗源
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成集成電路的第一功能區域；

在所述工件上方形成所述集成電路的第二功能區域；

圍繞所述集成電路的第一功能區域形成不連續的第一保護環，其中，形成所述保護環包括在所述第一功能區域和所述第二功能區域上方設置的材料層中形成所述第一保護環；

圍繞所述第二功能區域在所述材料層中形成不連續的第二保護環，其中，所述第一保護環和所述第二保護環分別包括在所述材料層中設置的不連續的多條導線、以及在所述多條導線中的兩條導線之間設置的不連續的多個導電通孔或通孔條；

將電路線路的一個端部經由所述第一保護環的不連續區域電連接至所述第一功能區域，并且將所述電路線路的另一個端部經由所述第二保護環的不連續區域電連接至所述第二功能區域；以及

圍繞所述集成電路的外圍形成密封環，其中，所述密封環包括具有導電材料的兩個同心環。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述工件上方形成所述集成電路的多個所述第二功能區域。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述保護環包括形成所述第一保護環，并且，所述方法還包括圍繞所述多個所述第二功能區域中的每一個第二功能區域在所述材料層中形成所述第二保護環。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述保護環包括在后段(BEOL)制造工藝中形成所述保護環。

5.根據權利要求1所述的方法，形成所述密封環包括圍繞所述保護環和所述集成電路的第二功能區域形成所述密封環。

6.一種半導體器件，包括：

集成電路的第一功能區域，設置在工件上方；

所述集成電路的第二功能區域，設置在所述工件上方；

不連續的第一保護環，圍繞所述第一功能區域的外圍設置，其中，所述第一保護環設置在材料層中，所述材料層設置在所述第一功能區域和所述第二功能區域上方；

不連續的第二保護環，圍繞所述第二功能區域在所述材料層中形成；

電路線路，所述電路線路的一個端部經由所述第一保護環的不連續區域電連接至所述第一功能區域，并且所述電路線路的另一個端部經由所述第二保護環的不連續區域電連接至所述第二功能區域；以及

圍繞所述集成電路的外圍形成的密封環，其中，所述密封環包括具有導電材料的兩個同心環，

其中，所述第一保護環和所述第二保護環分別包括在所述材料層中設置的不連續的多條導線、以及在所述多條導線中的兩條導線之間設置的不連續的多個導電通孔或通孔條。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述材料層包括多個絕緣材料層。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述保護環包括在所述多個絕緣材料層中設置的所述多條導線。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述多個導電通孔或所述通孔條設置在所述多個絕緣材料層中的一個絕緣材料層中。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述半導體器件包括多個金屬化層，并且，所述保護環設置在所述半導體器件的多個金屬化層中的每一個金屬化層中。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述保護環的多條導線中的一條導線是不連續的。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述電路線路具有第一端部和第二端部，其中，所述電路線路的第一端部連接至所述集成電路的第一功能區域，并且，所述電路線路延伸穿過所述多條導線中的不連續的導線。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述電路線路的第二端部連接至第二功能電路。