[發明專利]硅晶太陽能芯片、包括其的電池、及其制造方法

無效

• 申請號: 201310069131.0
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN103594527A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 厲文中
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種硅晶太陽能電池芯片，包括：

一硅晶基板，其中所述硅晶基板具有一上表面、一下表面及一側面；以及一絕緣層，僅形成于所述硅晶基板的所述側面上。

2.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層僅覆蓋所述硅晶基板的整個側面，并與所述硅晶基板直接接觸。

3.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述硅晶基板為一單晶硅基板、或一多晶硅基板。

4.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述硅晶基板為一n型摻雜的硅晶基板或p型摻雜的硅晶基板。

5.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層具有一電阻率不小于1x10⁸歐姆·米。

6.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層為含硅的絕緣層。

7.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層為氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所構成的單層結構。

8.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層為選自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所構成的多層結構。

9.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述絕緣層的厚度不小于45nm。

10.如權利要求1所述的硅晶太陽能電池芯片，其中所述上表面、所述下表面、及所述側面的至少一個為一具織構化結構的表面。

11.一種硅晶太陽能電池，包括：

一硅晶基板，其中所述硅晶基板具有一上表面、一下表面及一側面，以及一絕緣層，僅形成于所述硅晶基板的所述側面上，且所述硅晶基板具有一第一電性；

一抗反射層，設置于所述硅晶基板的上表面；

一摻雜層，設置于所述硅晶基板的上表面及所述抗反射層之間，其中所述摻雜層具有一第二電性；

一第一電極，設置于所述抗反射層之上并穿過所述抗反射層而與所述摻雜層電性連接；以及

一第二電極，設置于所述硅晶基板的下表面。

12.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層覆蓋所述硅晶基板的整個側面，并與所述硅晶基板直接接觸。

13.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層具有一電阻率不小于1x10⁸歐姆·米。

14.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層為含硅的絕緣層。

15.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層為氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅所構成的單層結構。

16.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層為選自由氧化硅、氮化硅、及氮氧化硅所構成的多層結構。

17.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述絕緣層的厚度不小于45nm。

18.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述摻雜層僅覆蓋在所述硅晶基板的上表面。

19.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述抗反射層與所述硅晶基板的側面由所述絕緣層所隔開。

20.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述硅晶基板為一n型硅晶基板，而所述摻雜層為一p型摻雜層。

21.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述硅晶基板為一p型硅晶基板，而所述摻雜層為一n型摻雜層。

22.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述抗反射層的材料與所述絕緣層材料相同。

23.如權利要求11所述的硅晶太陽能電池，其中所述第二電極并不與所述絕緣層接觸。

24.一種硅晶太陽能電池芯片的制造方法，包括：

提供一硅晶晶棒，其中所述硅晶晶棒具有一上表面、一下表面及一側面；

覆蓋一絕緣材料于所述硅晶晶棒的側面；以及

對所述硅晶晶棒的側面進行切割，得到多個硅晶太陽能電池芯片。