[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置及半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310068740.4
• 申請(qǐng)日: 2013-03-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103311147A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 迫田尚和;高松弘行;乾昌廣;尾島太
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社神戶(hù)制鋼所;株式會(huì)社鋼臂功科研
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置，其特征在于包括：

激發(fā)光照射部，向形成在具有電氣導(dǎo)電性的導(dǎo)電性膜上的作為評(píng)價(jià)對(duì)象的半導(dǎo)體膜照射指定的激發(fā)光；

電磁波照射部，向所述半導(dǎo)體膜照射波長(zhǎng)λ的電磁波；

介電體板，設(shè)置在所述半導(dǎo)體膜中所述激發(fā)光及所述電磁波所照射的面?zhèn)龋蓪?duì)于所述激發(fā)光具有透光性的介電體形成；

檢測(cè)部，檢測(cè)被所述半導(dǎo)體膜反射的所述電磁波的反射波的強(qiáng)度；

評(píng)價(jià)部，根據(jù)所述檢測(cè)部的檢測(cè)輸出來(lái)評(píng)價(jià)所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置，其特征在于：

所述介電體板的厚度D是所述檢測(cè)部的檢測(cè)輸出為L(zhǎng)max×1/e以上時(shí)的范圍中的任一值，其中，Lmax是設(shè)置介電常數(shù)為ε且厚度為λ/(4×(ε)^1/2)的基準(zhǔn)介電體板時(shí)的所述檢測(cè)部的檢測(cè)輸出，e是納皮爾數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置，其特征在于還包括：

多個(gè)板狀部件，厚度互不相同，且是介電體；其中，

所述多個(gè)板狀部件中的一個(gè)用作所述介電體板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置，其特征在于：

所述電磁波照射部包括變更所述電磁波的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)變更部，

所述半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置還包括：

波長(zhǎng)控制部，通過(guò)控制所述電磁波照射部的所述波長(zhǎng)變更部來(lái)控制所述電磁波的波長(zhǎng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置，其特征在于：

所述電磁波照射部包括變更所述電磁波的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)變更部，

所述半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)裝置還包括：

波長(zhǎng)控制部，通過(guò)控制所述電磁波照射部的所述波長(zhǎng)變更部來(lái)控制所述電磁波的波長(zhǎng)。

6.一種半導(dǎo)體結(jié)晶性評(píng)價(jià)方法，其特征在于包括以下步驟：

激發(fā)光照射步驟，向形成在具有電氣導(dǎo)電性的導(dǎo)電性膜上的作為評(píng)價(jià)對(duì)象的半導(dǎo)體膜照射指定的激發(fā)光；

電磁波照射步驟，配合所述激發(fā)光的照射，向所述半導(dǎo)體膜照射波長(zhǎng)λ的電磁波；

檢測(cè)步驟，檢測(cè)被所述半導(dǎo)體膜反射的所述電磁波的反射波的強(qiáng)度；

評(píng)價(jià)步驟，根據(jù)所述檢測(cè)部的檢測(cè)輸出來(lái)評(píng)價(jià)所述半導(dǎo)體膜的結(jié)晶性；其中，

在所述半導(dǎo)體膜中所述激發(fā)光及所述電磁波所照射的面?zhèn)龋O(shè)置有由對(duì)于所述激發(fā)光具有透光性的介電體形成的介電體板。