[發明專利]烤煙半膜覆蓋栽培方法

無效

• 申請號: 201310068318.9
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN103081710A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 潘文杰;高維常;陳偉;陳懿;李繼新;梁貴林;邱雪柏;林葉春;廖成松
• 申請（專利權）人: 貴州省煙草科學研究院
• 主分類號: A01G1/00
• 分類號: A01G1/00
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 趙彥棟

技術領域

本發明涉及烤煙大田半膜覆蓋栽培方法，屬于作物覆蓋栽培技術領域。

背景技術

壟作是作物栽培中一種較為普遍的方式，在烤煙生產中廣泛使用。它對增加土層厚度，保墑防旱，通風防病，增加土體表面積，擴大受光面，提高地溫，進而促進作物根系發育有積極作用。

在我國貴州高原煙區，土層和耕層薄，土壤肥力低，保肥保水能力差。雖然全省年均降雨量在1000mm以上，理論上完全能夠滿足烤煙生產的需要，但是受季節性干旱、降雨分布不均勻，過度降雨地表徑流損失等影響，在烤煙移栽時常常受干旱影響推遲移栽時間；烤煙旺長期常出現旱災和澇災，成熟期又受伏旱脅迫，限制了本區烤煙產量穩定與煙葉質量提升。

該區受高原氣候的影響，烤煙生長季節氣溫較低，地膜使用極為普遍，導致“白色污染”日趨嚴重。同時現有地膜種植的常規模式為全膜覆蓋，作物栽種在地膜全覆蓋區域，為達到較好的保溫效果，作物的根系均被包覆在地膜下方。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種優化烤煙生長環境，方便地膜回收，減少“白色污染”的烤煙半膜覆蓋栽培方法，可以克服現有技術的不足。

本發明的技術方案：烤煙半膜覆蓋栽培方法是在地壟的頂部覆蓋地膜，然后在地壟上地膜邊沿的內側或外側開種植孔進行煙苗栽培。

所述的種植孔為井窖式移栽孔。

地膜的寬度90-100cm，厚度0.008cm。

在地壟上地膜的邊沿處開設施肥溝，在施肥溝內施底肥，后在其施肥溝上蓋土壓緊地膜邊沿。

在烤煙采收結束后，揭開地膜，進行回收。

施肥溝的寬度為15-20cm、深度為15-20cm。

種植孔位于地壟上地膜邊沿的內側或外側，種植孔的孔口直徑8cm，種植孔孔口圓心到膜邊沿的距離為5cm。

壟底寬度為210cm，土煙壟高20±3cm，田煙壟高25±3cm。

與現有技術比較，本發明將地膜覆蓋于地壟的頂部，煙苗移栽于地壟上地膜邊沿的內側或外側，這樣本發明的優點是：（1）烤煙實施一壟雙行，實現了寬窄行移栽，利于烤煙后期田間通風透光，提高煙葉品質，同時有利于農事操作。（2）烤煙中后期生長過程中，根系處于膜內和膜外兩個部位，綜合了干旱地膜保濕、雨澇排水的特點，利于烤煙正常生長。（3）地膜邊緣與底肥相連，煙株根系與地膜、底肥靠近而接觸，有利于降雨順膜流入根系周圍，溶解了肥料，滋潤了煙株根系，提高了肥料利用率、促進了根系發育與烤煙生長。（4）因地膜邊沿與煙株莖基部相鄰，且地膜較厚，站在壟上揭膜，保證地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低“白色污染”。（5）半膜覆蓋減少了地膜用量，減少種植投入。（6）打破了現有地膜種植的慣有思維。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖2為本發明的另一種結構示意圖。

具體實施方式

實施例1：如圖1所示，本發明的具體實施步驟為

（1）選地：選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；

（2）整地：起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢后耙均，清除煙地雜物；

（3）起壟：按壟底（A）210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高（C）20±3cm，田煙壟高（C）25±3cm，壟面略呈弧形，保證不集雨；

（4）施基肥：在地壟1的肩部，距地壟中心線50cm處開深15-20cm施肥溝2，按常規烤煙條施底肥用量；

（5）?覆膜：用寬度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆蓋于壟面中心位置，膜邊沿落入條施基肥的施肥溝2上，在施肥溝2上覆土且將地膜3的邊沿蓋實壓緊；

（6）?栽煙：在距離壟中心線45cm的地壟上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直徑8cm，按發明專利名稱為“烤煙地膜井窖式小苗移栽方法”專利申請號?201110203197.5”栽植煙苗，株距按常規烤煙生產執行；

（7）揭膜：在烤煙采收結束時，揭開地膜3，保持地膜完整性，便于回收再利用；

（8）?其它：其它管理按常規烤煙種植方式管理。

實施例2：如圖2所示，本發明的具體實施步驟為

（1）?選地：選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；

（2）?整地：起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢后耙均，清除煙地雜物；

（3）起壟：按壟底（A）210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高（C）20±3cm，田煙壟高（C）25±3cm，壟面略呈弧形，保證不集雨；