[發明專利]一種多晶硅薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板

有效

• 申請號: 201310068300.9
• 申請日: 2013-03-05
• 公開（公告）號: CN103151388A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 王祖強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種多晶硅薄膜晶體管，包括柵電極、源電極、漏電極和有源層，其特征在于，所述有源層至少包括溝道區、第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區設置于所述溝道區的兩側，所述第二摻雜區設置于所述第一摻雜區相對所述溝道區的一側；重摻雜區設置于所述第二摻雜區相對所述第一摻雜區的一側；其中，所述重摻雜區中離子的劑量介于所述第一摻雜區和所述第二摻雜區之間。

2.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述第一摻雜區為鈍化摻雜區，所述第二摻雜區為輕摻雜區；其中，所述鈍化摻雜區中離子的注入深度小于所述重摻雜區和所述輕摻雜區中離子的注入深度，劑量大于所述重摻雜區中離子的劑量。

3.根據權利要求1所述的多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述第一摻雜區為輕摻雜區，所述第二摻雜區為鈍化摻雜區；其中，所述鈍化摻雜區中離子的注入深度小于所述重摻雜區和所述輕摻雜區中離子的注入深度，劑量大于所述重摻雜區中離子的劑量。

4.根據權利要求1至3任一項所述的多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，所述鈍化摻雜區中包括與硅原子形成穩定共價鍵的鈍化摻雜離子；所述重摻雜區為P型，或N型。

5.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1至4任一項所述的多晶硅薄膜晶體管。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括緩沖層。

7.根據權利要求5或6所述的陣列基板，其特征在于，還包括公共電極。

8.一種多晶硅薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成柵電極、源電極、漏電極和有源層，所述有源層至少包括溝道區、位于所述溝道區域兩側的第一圖案、位于所述第一圖案相對所述溝道區一側的第二圖案；以及位于所述第二圖案相對所述第一圖案的一側的第三圖案；

通過摻雜工藝，在所述第三圖案處形成重摻雜區，在所述第二圖案處形成鈍化摻雜區或輕摻雜區，在所述第一圖案處形成所述輕摻雜區或所述鈍化摻雜區；其中，所述第一圖案和所述第二圖案處互為所述鈍化摻雜區和所述輕摻雜區；所述鈍化摻雜區中包括與硅原子形成穩定共價鍵的鈍化摻雜離子，且所述鈍化摻雜區中所述鈍化摻雜離子的注入深度小于所述重摻雜區和所述輕摻雜區中離子的注入深度，劑量大于所述重摻雜區中離子的劑量。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述摻雜工藝為離子注入工藝。