[發明專利]射頻開關電路

有效

• 申請號: 201310068067.4
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103888119B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 河尚勛;樸成煥;金相喜;金南興;裵孝根
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 金光軍,馬翠平

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年12月21日向韓國專利局提交的韓國專利申請第10-2012-0151457號的優先權，將公開通過引用結合于此。

技術領域

本發明涉及用于減小開關控制信號的偏差電壓的影響的射頻開關電路。

背景技術

通常，安裝在諸如蜂窩電話的無線通信裝置內的半導體集成電路包括用于控制在天線和發送/接收電路之間的高頻信號的傳輸路徑的射頻半導體開關（在本文中稱為射頻半導體開關電路）。

該射頻開關電路即使在輸入大信號的情況下也需要低損耗、高隔離和高開關速度，并且還需要低諧波失真，即，高線性度。

在基本無線通信裝置中，射頻開關電路包括分別連接至多個發送/接收電路的多個射頻端口以及連接至天線的公共端口。

射頻開關電路控制在射頻端口和公共端口之間的高頻信號的傳輸路徑，使得一個路徑從連接至射頻開關電路的發送/接收電路中選出并且電連接至天線。

為了在各個射頻端口和公共端口之間轉換高頻信號的傳輸路徑，這樣的現有射頻開關電路包括連接在各個射頻端口和公共端口之間的開關晶體管和連接在射頻端口和地之間的分流晶體管。

在這種情況下，各個開關晶體管和分流晶體管可以是在絕緣體上硅（SOI）襯底上的開關器件并且可以是金屬氧化物硅場效應管（MOSFET）。

在這樣的現有射頻開關電路中，用于控制導通狀態或截止狀態的開關控制信號提供至多個開關和各個分流晶體管的柵極。可以從基帶芯片組提供開關控制信號。

此外，提供到包括在射頻開關電路中的開關和分流晶體管的開關控制信號可能不具有需要的電壓電平并且可能具有與需要的電壓電平不同的偏差電壓。當開關控制信號具有偏差電壓時，該偏差電壓可能不被補償，從而使開關性劣化。

例如，當分流晶體管的導通電壓是0.45V時，在具有非0V的偏差電壓的控制信號作為用于截止的低電平提供至分流晶體管的柵極的情況下，分流晶體管需要被截止。然而，當低于導通電壓并且等于或高于亞閾值（sub_threshold）電壓的電壓（例如，0.3V）提供至柵極時，分流晶體管可能輕微地導通。

因此，射頻信號的損耗來自分流晶體管，從而使射頻開關電路的回波損耗（return loss）或諧波特性惡化。

以下相關技術文獻公開了射頻開關電路和半導體裝置但是沒有公開涉及減少開關控制信號的偏差電壓的影響的技術特征。

[相關技術文獻]

日本專利公開第2007-259112號

發明內容

本發明的一個方面提供了一種減少開關控制信號的偏差電壓的影響從而執行正確的開關操作的射頻開關電路。

根據本發明的一個方面，提供了一種射頻開關電路，該射頻開關電路包括連接在第一節點（連接至第一信號端口）和公共節點（連接至公共端口）之間并且根據具有低電平或高電平的第一控制信號來操作的第一開關電路單元、連接在第二節點（連接至第二信號端口）和公共節點之間并且根據具有與第一控制信號相反的相位的第二控制信號來操作的第二開關電路單元、連接在第二節點和公共源極節點之間并且根據第一控制信號來操作的第一分流電路單元、連接在第一節點和公共源極節點之間并且根據第二控制信號來操作的第二分流電路單元以及產生施加至公共源極節點的源極電壓的源極電壓產生單元，其中源極電壓低于第一控制信號的高電平并且高于地電壓。

根據本發明的另一方面，提供了一種射頻開關電路，該射頻開關電路包括第一開關電路單元、第二開關電路單元、第一分流電路單元、第二分流電路單元以及源極電壓產生單元，該第一開關電路單元包括連接在第一節點（連接至第一信號端口）和公共節點（連接至公共端口）之間并且根據第一控制信號來操作的至少一個開關晶體管，該第二開關電路單元包括連接在第二節點（連接至第二信號端口）和公共節點之間的用于根據第二控制信號來與第一開關信號單元互補地執行開關操作的至少一個開關晶體管，該第一分流電路單元包括連接在第二節點和公共源極節點之間并且根據第一控制信號來操作的至少一個分流晶體管，該第二分流電路單元包括連接在第一節點和公共源極節點之間的用于根據第二控制信號來與第一分流電路單元互補地執行開關操作的至少一個分流晶體管，該源極電壓產生單元產生施加至公共源極節點的源極電壓，其中源極電壓低于分流晶體管的閾值電壓并且等于或高于分流晶體管的亞閾值電壓。

源極電壓的電壓電平可以與在第一控制信號和第二控制信號中具有低電平的控制信號的電壓電平相對應。