[發明專利]具有一體化結構組件的多層電子支撐結構

有效

• 申請號: 201310067962.4
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103199078A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 卓爾·赫爾維茨;黃士輔
• 申請（專利權）人: 珠海越亞封裝基板技術股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48;H05K3/46
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;李弘

1.一種多層電子支撐結構，其包括在X-Y平面中延伸的被通孔層隔開的至少一對相鄰特征層；所述通孔層包括夾在所述兩個相鄰特征層之間的介電材料和在垂直于X-Y平面的Z方向上穿過所述介電材料跨越所述成對的相鄰特征層的至少一個結構組件；其中所述至少一個結構組件的特征在于其在X-Y平面中的長尺寸為其在X-Y平面中的短尺寸的至少3倍，并且其中所述至少一個結構組件被完全包封在所述介電材料內并且與其周邊電絕緣。

2.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件是非電子功能的。

3.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，包括具有導電通孔和特征結構的中央電子功能區和周邊區，其中所述結構組件位于所述周邊區內。

4.如權利要求3所述的多層電子支撐結構，所述具有導電通孔和特征結構的中央電子功能區用于通過倒裝芯片技術連接芯片。

5.如權利要求4所述的多層電子支撐結構，選自包括倒裝芯片BGA（FCBGA）、倒裝芯片芯片尺寸封裝（FCCSP）、倒裝芯片針網陣列（FCPGA）和倒裝芯片焊盤柵格陣列（FCLGA）的組別。

6.如權利要求3所述的多層電子支撐結構，具有至少10mm×10mm且不超過60mm×60mm的平面尺寸。

7.如權利要求3所述的多層電子支撐結構，其中所述中央電子功能區具有至少5mm×5mm且不超過25mm×25mm的尺寸。

8.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件用于減輕殘余應力和有助于平坦性。

9.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件沿所述支撐結構的邊緣進行定位。

10.如權利要求3所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件定位在沿所述中央電子功能區的所有側面的所述周邊區中。

11.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，用于支撐芯片，并且包括圍繞所述芯片徑向布置的多個結構組件。

12.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件包括用于定位在所述支撐結構的拐角內的拐角角度。

13.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件設置在單個層內。

14.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個結構組件跨越多個層。

15.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，外形輪廓選自包括正方形、長方形、T形、倒T形、I形、J形和L形輪廓的組別。

16.如權利要求15所述的多層電子支撐結構，包括在特征層中的焊盤和在所述焊盤上的非圓柱形通孔。

17.如權利要求16所述的多層電子支撐結構，其中所述焊盤包括粘附層，所述粘附層包括選自包括鈦、鉭、鎢和鉻的組別中的金屬。

18.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述結構組件沿其長度為波紋狀或鋸齒狀的。

19.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料包括聚合物。

20.如權利要求19所述的多層電子支撐結構，其中所述聚合物包括聚酰亞胺、環氧樹脂、雙馬來酰亞胺、三嗪及其混合物。

21.如權利要求20所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料還包括無機夾雜物。

22.如權利要求21所述的多層電子支撐結構，其中所述無機夾雜物包括玻璃纖維。

23.如權利要求21所述的多層電子支撐結構，其中所述無機夾雜物包括陶瓷顆粒。

24.一種用于增強多層電子支撐結構的方法，包括在所述多層電子支撐結構內引入至少一個結構組件。

25.如權利要求24所述的方法，其中所述至少一個結構組件包括非電子功能的細長金屬夾雜物。

26.如權利要求24所述的方法，包括以下步驟：在底部介電層上沉積種子層，和在所述種子層上圖案或面板鍍覆所述至少一個結構組件的第一層。