[發明專利]發光二極管芯片

無效

• 申請號: 201310067872.5
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103715327A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 蔡沛修
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

技術領域

本發明是有關于一種發光裝置，且特別是有關于一種發光二極管芯片。

背景技術

基于環保與節能的趨勢，具有低耗電、高效率等優勢的發光二極管(Light?Emitting?Diode,LED)已逐漸取代傳統的鎢絲燈泡等高耗電的光源。

目前常見的發光二極管芯片是在一基板上設置一磊晶堆疊結構，此磊晶堆疊結構是由一N型半導體層、一發光層及一P型半導體層依序層疊而成。N型半導體層上方設有N型電極，而P型半導體層上方設有P型電極。當N型電極與P型電極通電時，可驅使N型半導體層及P型半導體層的電子空穴于發光層中結合，而電子空穴結合后所釋放的能量則會以光的形式釋出。

現有發光二極管的N型電極及P型電極通常為兩個圓點狀的導電圖案，其分別配置于發光二極管芯片頂面上的兩個對角，以電性連接導線。然而，倘若將這樣的電極配置方式用于較大尺寸的發光二極管芯片時，容易造成對角線以外的其他區域的電流不足，使得電流分布不均，進而造成熱能集中、發光區域不均勻等問題。此外，電流分布的不均勻亦會造成發光二極管芯片的電壓極限(又可稱正向電壓Vf)的上升，導致需要更大的電壓來驅動發光二極管芯片發光，而降低能量的轉換效率。

發明內容

有鑒于此，本發明的一技術方案是在提供一種發光二極管芯片，其目的是在于幫助電流及發光區域分布得更為均勻，并減少熱能集中、電壓極限上升的現象。

為了達到上述目的，依據本發明的一實施方式，一種發光二極管芯片包含一基板、一N型半導體層、一發光層、一P型半導體層、一N型電極層以及一P型電極層。N型半導體層是設置于基板上。發光層是設置于N型半導體層上。P型半導體層是設置于發光層上。N型電極層是設置于N型半導體層上。P型電極層是設置于P型半導體層上，且P型電極層包含多個封閉回路圖案，這些封閉回路圖案分別環繞著部分N型電極層。

于本發明的一或多個實施方式中，封閉回路圖案是彼此相鄰成一列，且N型電極層包含多個N型電極圖案，分別被封閉回路圖案所環繞。

于本發明的一或多個實施方式中，部分N型電極圖案包含一N型打線區域，部分封閉回路圖案包含一P型打線區域，而P型打線區域是位于封閉回路圖案上與N型打線區域距離最遠的一第一角落。

于本發明的一或多個實施方式中，封閉回路圖案上與N型打線區域距離最近的一第二角落為第一角落的對角。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極層還包含一電極連接圖案，連接N型電極圖案。

于本發明的一或多個實施方式中，部分封閉回路圖案是跨過電極連接圖案的上方。

本發明的一或多個實施方式中，發光二極管芯片還包含至少一絕緣層，設置于電極連接圖案與封閉回路圖案之間。

于本發明的一或多個實施方式中，絕緣層的材料為透光氧化物。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案呈條狀且相互平行。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案與電極連接圖案組合呈U形。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案呈U形。

于本發明的一或多個實施方式中，封閉回路圖案各包含一P型延伸電極，其是由封閉回路圖案的邊緣垂直延伸入U形開口中。

于本發明的一或多個實施方式中，封閉回路圖案呈矩形。

于本發明的一或多個實施方式中，封閉回路圖案是以二維陣列的形式排列。

于本發明的一或多個實施方式中，任一封閉回路圖案的相鄰兩側均鄰接著其他封閉回路圖案。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極層包含多個N型電極圖案，其中該些N型電極圖案彼此相交，且其相交處是位于相鄰四個該些封閉回路圖案的交接處下方。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案各包含一N型打線區域，被部分的封閉回路圖案所環繞，而另一部分的封閉回路圖案各包含一P型打線區域。此P型打線區域是位于封閉回路圖案上與N型打線區域距離最遠的一第一角落。

于本發明的一或多個實施方式中，發光二極管芯片還包含一絕緣層，設置于N型電極圖案的交接處與其上方的封閉回路圖案之間。于本發明的一或多個實施方式中，絕緣層的材料為透光氧化物。

于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案呈條狀。于本發明的一或多個實施方式中，N型電極圖案相互垂直。