[發明專利]具有一體化法拉第屏蔽的多層電子結構

有效

• 申請號: 201310067851.3
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103179784A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 卓爾·赫爾維茨
• 申請（專利權）人: 珠海越亞封裝基板技術股份有限公司
• 主分類號: H05K1/09
• 分類號: H05K1/09;H05K9/00;H05K3/06
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李翔;李弘

1.一種多層電子支撐結構，其包括包封在介電材料中的至少一個功能金屬組件，并且還包括在所述介電材料內的至少一個法拉第柵，用于屏蔽所述至少一個功能金屬組件以免受外部電磁場干擾和防止所述金屬組件的電磁發射。

2.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件包括信號載體。

3.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件包括銅。

4.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件位于通孔層中，所述通孔層還包括連接上方和下方的相鄰特征層的連接通孔。

5.如權利要求4所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件還包括下層，所述下層選自濺射種子層、電鍍金屬層和沉積在濺射或化學鍍種子層上的電鍍金屬層。

6.如權利要求4所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件還包括上層，所述上層選自濺射種子層、電鍍金屬層和沉積在濺射或化學鍍種子層上的電鍍金屬層。

7.如權利要求4所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個功能金屬組件包括電路。

8.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個法拉第柵包括：

在所述至少一個金屬組件上方的上金屬層，和

在所述至少一個金屬組件下方的下金屬層。

9.如權利要求8所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個法拉第柵還包括：

在所述至少一個金屬組件的每一側上的元件，其通過通孔柱列連接至上和下金屬層以提供法拉第籠。

10.如權利要求8所述的多層電子支撐結構，其中所述通孔柱列是連續的。

11.如權利要求8所述的多層電子支撐結構，其中所述通孔柱列是不連續的。

12.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述至少一個法拉第柵包括銅。

13.如權利要求1所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料包括聚合物。

14.如權利要求13所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料還包括陶瓷或玻璃。

15.如權利要求13所述的多層電子支撐結構，其中所述聚合物包括聚酰亞胺、環氧樹脂、雙馬來酰亞胺、三嗪和及其共混物。

16.如權利要求14所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料還包括玻璃纖維。

17.如權利要求14所述的多層電子支撐結構，其中所述介電材料還包括陶瓷顆粒填料。

18.一種制造如權利要求1所述的多層電子支撐結構的方法，包括以下步驟：

a)獲得包括上層的基板，所述上層包含連續金屬接地面；

b)在所述連續金屬接地面上涂覆第一光刻膠層；

c)顯影所述第一光刻膠層，所述第一光刻膠層具有包括下金屬通孔列對的圖案；

d)在所述第一光刻膠層中圖案鍍覆所述下金屬通孔列對；

e)剝除所述第一光刻膠層；

f)在所述下金屬通孔列對上層壓第一介電材料層；

g)減薄所述第一介電材料層以暴露出所述下金屬通孔列對的端部；

h)在所述第一介電材料層上沉積第一金屬種子層；

i)在所述第一金屬種子層上涂覆第二光刻膠層；

j)曝光并顯影包括在所述第二光刻膠層兩側上的金屬元件和相鄰的法拉第柵的圖案；

k)通過圖案鍍覆共同制造所述金屬元件和相鄰的法拉第柵；

l)剝除所述第二光刻膠層；

m)涂覆第三光刻膠層；

n)曝光并顯影第三圖案，所述第三圖案包括在所述第三光刻膠層中的上通孔柱列；

o)將所述上通孔柱列圖案鍍覆到被曝光和顯影的圖案中；

p)剝除所述第三光刻膠層；

q)移除所述種子層；

r)在所述上通孔柱列上層壓一層介電材料；

s)減薄所述介電材料以暴露出所述上通孔柱列的端部；和

t)在被暴露出的端部上沉積上金屬層。

19.如權利要求18所述的方法，其中所述上金屬層包括金屬種子層。