[發明專利]半導體集成裝置

有效

• 申請號: 201310067617.0
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103311238B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 渕上千加志
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 何欣亭,李浩

1.一種半導體集成裝置，包含主面形成靜電保護電路的半導體襯底、對于所述主面而言下表面相對的金屬焊盤、和在所述金屬焊盤的上表面相對地形成的導電性凸臺，其特征在于：

所述靜電保護電路包含互相鄰接的第1擴散區域及第2擴散區域，

所述第1擴散區域被所述第2擴散區域包圍，所述導電性凸臺是具有與所述第1擴散區域及所述第2擴散區域相對的相對面的板狀電極，并且在所述導電性凸臺與所述金屬焊盤的相對面中，在與所述第1擴散區域相對的范圍內，具有與所述金屬焊盤接觸的突起部。

2.如權利要求1所述的半導體集成裝置，其特征在于：在所述相對面中，在除了所述突起部以外的區域和所述金屬焊盤之間，形成有絕緣膜。

3.如權利要求1所述的半導體集成裝置，其特征在于：所述第2擴散區域與電源線或接地線連接。

4.如權利要求1所述的半導體集成裝置，其特征在于：

在所述金屬焊盤和所述半導體襯底的主面之間，形成有絕緣層；

設置貫通所述絕緣層而將所述金屬焊盤和所述第1擴散區域電連接的導電部件。

5.如權利要求1所述的半導體集成裝置，其特征在于：所述靜電保護電路，是將所述第1擴散區域作為漏極區域、將所述第2擴散區域作為源極區域的晶體管。