[發(fā)明專利]多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310067499.3
• 申請日: 2013-03-04
• 公開（公告）號: CN103165479A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于大全;劉海燕
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/60;H01L21/66;H01L21/78
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，包括以下步驟：

1）?利用粘結(jié)劑將具有垂直硅通孔（2）和凸點（3）結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)接板晶圓（1）臨時鍵合到承載晶圓（6）上；

2）?將大尺寸芯片（7）倒裝在轉(zhuǎn)接板晶圓（1）的第一表面并完成互連；

3）?完成轉(zhuǎn)接板晶圓（1）和承載晶圓（6）的拆鍵合，移除承載晶圓（6），形成轉(zhuǎn)接板封裝結(jié)構(gòu)；

4）?對步驟3形成的轉(zhuǎn)接板封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行第一次電性能測試；

5）?將帶有單顆大尺寸芯片（7）的轉(zhuǎn)接板晶圓（1）切割成單顆芯片，稱為轉(zhuǎn)接板芯片，轉(zhuǎn)接板晶圓（1）的第一表面成為轉(zhuǎn)接板芯片的第一表面；

6）?將小尺寸芯片或小尺寸芯片堆疊（8）倒裝到電性能良好的轉(zhuǎn)接板芯片的第一表面并完成互連；

7）?對步驟6形成的轉(zhuǎn)接板芯片封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二次電性能測試；

8）?將電性能良好的轉(zhuǎn)接板芯片的第二表面與基板（9）互連，形成最終的封裝結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述大尺寸芯片（7）通過回流或熱壓鍵合的方式完成與轉(zhuǎn)接板晶圓（1）的電氣互連；所述小尺寸芯片或小尺寸芯片堆疊（8）采用回流或熱壓鍵合的方式完成與轉(zhuǎn)接板芯片的電氣互連。

3.如權(quán)利要求1所述多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述轉(zhuǎn)接板晶圓（1）帶有垂直硅通孔金屬化填充結(jié)構(gòu)，填充材料為銅或鎢中的一種。

4.如權(quán)利要求1所述多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述大尺寸芯片為中央處理器、微處理器、圖形處理器、數(shù)字信號處理器或射頻收發(fā)器。

5.如權(quán)利要求1所述多芯片系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征是，所述小尺寸芯片為微機(jī)械系統(tǒng)MEMS、CMOS圖像傳感器或存儲器芯片。